求助nmos管栅极驱动芯片选型问题 -

标题: 求助nmos管栅极驱动芯片选型问题 [打印本页]

作者: 柒月时间 时间: 2023-8-18 17:47
标题: 求助nmos管栅极驱动芯片选型问题
各位大佬，是这样的，之前栅极驱动使用了lm5060,电源输入是60V左右,但在实际测试中，输出连负载仪时，几十W的情况下直接让lm5060控制nmos关闭再开启后，栅极驱动芯片出现了响声，然后mos管会损坏，一直导通。
之后负载接功率电阻一百多W情况下，关闭再开启mos管，是没有问题的。但是负载接电机测试又不可以了。测试几次，栅极驱动芯片和mos管都出现过损坏情况。
不带负载情况下开关mos时，几十A电流，60V长时间通过，电路板正常。
求助各位大佬，什么型号可以在电路输出带负载情况下关断开启mos管不会损坏啊？

作者: 1600277881 时间: 2023-8-18 21:23
上电路图吧

作者: dandan-tcb 时间: 2023-8-19 09:03
接感性负载时，输出mos管关断时，该漏极会有较大的反向电压（相对于阻性负载）。而大功率的MOS管，其米勒电容是比较大的（或者说Cgd）。此时这个高压会通过功率mos管的电容Cgd加载到驱动芯片上，进而损坏驱动芯片。
简单的处理是在驱动芯片的输出端加TVS来吸收就行了。假如你驱动芯片输出的电压是10V，那你就加11V或12V的TVS。

作者: 老愚童63 时间: 2023-8-19 17:45
UCC27511可以提供最大4A拉电流8A灌电流，很适合驱动MOS管或者IGBT.

作者: 邵123456 时间: 2023-8-21 09:49
首先，接电机的时候，负载属于感性的，Nmos管在开通和关断的时候，在MOS管的D端会出现一个很大的di/dt，这个是很危险的，相当于让MOS管瞬间承受一个很大的电流尖峰，然后这个di/dt会顺着米勒电容影响MOS管的关断，导致出现平台震荡现象，进而损坏MOS管甚至是驱动IC，根据楼主的描述，可知楼主的情况属于低压大电流，关断时候是非常难做的搞不好就会损坏MOS管，解决这类问题，一般需要多做测试，去检测MOS管关断时候平台震荡的波形，把波形调试好，就可以减少MOS损坏的情况，MOS选型的话可以考虑Cgs电容大点的在关断的时候可以有效降低di/dt

作者: yzwzfyz 时间: 2023-8-21 10:25
上图更利于它人分析。图是最好的语言。

作者: wufa1986 时间: 2023-8-23 15:49
应该是上升过程太慢了

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