NMOS的高端驱动非要使用自举电容+PWM的方式? -

标题: NMOS的高端驱动非要使用自举电容+PWM的方式? [打印本页]

作者: 宮梓萱 时间: 2023-9-4 10:30
标题: NMOS的高端驱动非要使用自举电容+PWM的方式?
请问下NMOS的高端驱动非要使用自举电容+PWM的方式来驱动吗？我不想使用PWM，我想让NMOS在高端处连续导通。这个怎么实现了？

作者: abob 时间: 2023-9-4 13:28
成本比较高使用电源模块产生一个对高端地的驱动电源。

作者: coody_sz 时间: 2023-9-4 13:41
很简单，加个电源给栅极就可以了。

作者: fj51hei 时间: 2023-9-4 15:16

coody_sz 发表于 2023-9-4 13:41
很简单，加个电源给栅极就可以了。

要高于输出一个栅极电压也不简单，最少一个振荡器

作者: XLinliY.Zhang 时间: 2023-9-4 15:41
如果对速度没要求，可以使用M1271光耦，如果有要求，可以使用隔离电源进行驱动

作者: Hephaestus 时间: 2023-9-4 17:26
你需要一个比上臂NMOS管S极高10V的G极电压才能让NMOS导通，而NMOS导通S极电压基本就是电源电压，G极要比电源高10V，请问这个电压怎么获取？？？

不用振荡器+自举电容，可以用成本更高的隔离电源获取，你还有别的办法吗？？？

作者: wufa1986 时间: 2023-9-5 08:04
使用一个隔离电源驱动高端

作者: fj51hei 时间: 2023-9-5 09:24

Hephaestus 发表于 2023-9-4 17:26
你需要一个比上臂NMOS管S极高10V的G极电压才能让NMOS导通，而NMOS导通S极电压基本就是电源电压，G极要比电 ...

用升压升一个比电源高的电压

作者: Hephaestus 时间: 2023-9-5 13:53

fj51hei 发表于 2023-9-5 09:24
用升压升一个比电源高的电压

不可以，下臂导通，上臂S极是负电源电压，你怎么办？

作者: 老愚童63 时间: 2023-9-5 14:09
除非你给上管提供一个独立电源。但这样一来成本会显著增加！所以，使用自举电压是最经济实用的

作者: ljf1234 时间: 2023-9-5 14:33
单片机普通io口一直输出5v电平应该也可以吧，s极接地

作者: Hephaestus 时间: 2023-9-5 20:10

ljf1234 发表于 2023-9-5 14:33
单片机普通io口一直输出5v电平应该也可以吧，s极接地

仔细看题目，人家说了高端驱动，你回答了个啥？

作者: 1600277881 时间: 2023-9-5 22:48
上臂用P管

作者: coody_sz 时间: 2023-9-5 22:58
如果仅仅是做开关输出（速度慢），而不是PWM（速度快），则可以使用输出是光电池的光耦，专门用于楼主这种要求的，就是速度慢。

作者: TTQ001 时间: 2023-9-6 09:44
NMOS晶体管的驱动电压要求通常需要非常高的偏置电压。现在，可以选择需要低栅极阈值电压的 NMOS 或 PMOS 晶体管。

作者: fj51hei 时间: 2023-9-6 19:15

coody_sz 发表于 2023-9-5 22:58
如果仅仅是做开关输出（速度慢），而不是PWM（速度快），则可以使用输出是光电池的光耦，专门用于楼主这种 ...

有型号？

作者: Hephaestus 时间: 2023-9-6 19:27

1600277881 发表于 2023-9-5 22:48
上臂用P管

用P管驱动是简单了，但是同样耐压同样电流等级的P管Rds(on)要大很多，性能差价格贵。

作者: fj51hei 时间: 2023-9-8 19:50

Hephaestus 发表于 2023-9-5 13:53
不可以，下臂导通，上臂S极是负电源电压，你怎么办？

负压怎么产生，有些不是很懂，另楼主需要一个上臂MOS连续导通，应该是要一个电源开关电路，哪来下臂？

作者: hhh402 时间: 2023-9-9 00:16
用共模电感或者脉冲变压器驱动，不管是高端低端都可以驱动，这样可以做到完全隔离，特别是MOS电压比较高时更安全。

作者: fj51hei 时间: 2023-9-10 10:16

hhh402 发表于 2023-9-9 00:16
用共模电感或者脉冲变压器驱动，不管是高端低端都可以驱动，这样可以做到完全隔离，特别是MOS电压比较高时 ...

有便宜器件推荐？

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