用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上这种情况可以从哪些... -

标题: 用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上这种情况可以从哪些... [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-3 15:13
标题: 用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上这种情况可以从哪些...
用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重，表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善？

RF+需要输出1.7M 峰峰值200V的正弦波信号驱动压电陶瓷换能器
1.从硬件的角度，MOS的驱动要考虑MOS的驱动电平、内阻、栅极电容、驱动波形是否陡峭？还可以从哪些角度进行改善？内阻和栅极电容是选型的问题。那驱动电平和驱动波形是电路设计的问题。这个MOS用5V方波驱动是没有问题的吧！怎么使得驱动波形更接近方波而不会发生波形的失真呢？以上这些是否可以改善温升的问题？

2.从嵌入式角度，栅极驱动器是经过DDS给信号的，DDS是经过MCU控制的，因此嵌入式可以从哪些角度进行温升的改善？

3.从结构的角度，进行通风孔对流、散热片导热到外壳、加微型高速的风扇，或者加铜管、液冷？除了这些还可以进行怎样的处理？

MOS规格书：

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51hei图片20231203144158.png (103.69 KB, 下载次数: 76)

51hei图片20231203144203.png (76.92 KB, 下载次数: 79)

作者: Hephaestus 时间: 2023-12-3 23:54
你先测一下栅极电压波形，看看是驱动不足还是负载太重。

作者: carpcarey 时间: 2023-12-4 09:05
1：硬件角度：
两个栅极加下拉电阻，以防MOS管不能可靠关断。
2：嵌入式角度：
确保软件中DRIVER_H和DRIVER_L任意时刻不同时为高，否则24V通过2个MOS管对地短路。造成发热严重现象。
3：结构角度：
两个MOS管不要紧挨一起，不要让发热点过度集中。D极利用大面积敷铜增加散热（双面板的话，正反大面积敷铜加较密过孔增加散热）。

作者: zycman 时间: 2023-12-4 09:28
如果紧紧是散热问题，PCB的散热设计有注意到么？另外，还有其它利于散热的封装的，考虑下换个封装？

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-9 09:33

Hephaestus 发表于 2023-12-3 23:54
你先测一下栅极电压波形，看看是驱动不足还是负载太重。

驱动不足还是负载太重---你好怎么根据波形判断是驱动不足还是负载太重

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-9 09:34

carpcarey 发表于 2023-12-4 09:05
1：硬件角度：
两个栅极加下拉电阻，以防MOS管不能可靠关断。
2：嵌入式角度：

非常感谢你的回复很专业谢谢

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-9 09:35

zycman 发表于 2023-12-4 09:28
如果紧紧是散热问题，PCB的散热设计有注意到么？另外，还有其它利于散热的封装的，考虑下换个封装？

有道理不过这种高频的MOS 大功率的可能价格比较贵而且也不太好找

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