关于铁电存储IC擦写次数 -

标题: 关于铁电存储IC擦写次数 [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-14 10:26
标题: 关于铁电存储IC擦写次数
铁电存储IC擦写次数达到了10的10次方次，也就是10亿次。这个比一般的EEPROM优势明显，比如AT24CXX，一般都是10万次。但是MB85RC16PNF-G-JNERE1为啥SOP8那么大的封装，铁电的容量才2KB也就是16Kb，那么小的容量？这是材料局限决定的吗？有谁知道的？科普一下

MB85RC16PNF-G-JNERE1 铁电存储IC.png (144.69 KB, 下载次数: 36)

MB85RC16PNF-G-JNERE1铁电存储IC2.png (50.58 KB, 下载次数: 32)

作者: 18680365301 时间: 2023-12-14 11:25
10的10次方是100亿次,老弟

作者: 飞云居士 时间: 2023-12-14 12:07
在目前现有的科技水平下，铁电存储器产品的容量通常受到材料的限制。铁电存储器使用的是一种叫做铁氧体(ferroelectric)的材料，它是一种晶体状固体，可以在电场的作用下发生极化现象。然而，铁氧体的电阻率较高，导致电流密度较低，限制了其容量。为了提高铁电存储器的容量，人们一直在努力寻找新的材料和工艺来解决这一问题。近年来，出现了一些新型铁氧体材料，如铌钛酸盐(NTO)、氧化锌铁(ZnFeO)等，这些材料的电阻率和灵敏度都比传统铁氧体要高得多，有望用于开发更高容量的铁电存储器产品。另外，通过改进制造工艺和提高器件设计效率等方法也可以在一定程度上提升铁电存储器的性能。总之，目前的铁电存储器产品的容量受限于材料的特性和技术水平的限制，但随着科学技术的发展以及新材料的应用，未来的铁电存储器产品将会更加高效可靠，并具备更高的容量。

作者: Hephaestus 时间: 2023-12-14 12:10
铁电核心材料并不是硅，还要集成到硅片上，能有多少集成度？

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-14 16:44

18680365301 发表于 2023-12-14 11:25
10的10次方是100亿次,老弟

那这个擦写次数有些恐怖啊根本用不完

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-14 16:46

Hephaestus 发表于 2023-12-14 12:10
铁电核心材料并不是硅，还要集成到硅片上，能有多少集成度？

嗯有道理不过他这个擦写次数可是吊打其他的EEPROM

作者: QWE4562012 时间: 2023-12-14 16:46

飞云居士发表于 2023-12-14 12:07
在目前现有的科技水平下，铁电存储器产品的容量通常受到材料的限制。铁电存储器使用的是一种叫做铁氧体(fer ...

你是做半导体的吗了解那么深

作者: powerdruy 时间: 2023-12-15 09:30
铁电的优势也是其他存储的劣势，铁电的劣势也是其他存储的优势，铁电有集合了RAM和ROM各自的特定，高速存取又掉电保存，但是受限制工艺和材料，难以低成本的大规模集成，这又是常规存储的优势所在

作者: bigbigcong 时间: 2023-12-15 10:02
在立创商城看了一下，和24c02价格相差100倍，读写次数相差10万倍。我怀疑是以前用在航天这种级别上的。

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