三极管驱动变压器来控制可控硅通断电路单次脉冲上升时间问题 -

标题: 三极管驱动变压器来控制可控硅通断电路单次脉冲上升时间问题 [打印本页]

作者: 864800116 时间: 2023-12-15 09:47
标题: 三极管驱动变压器来控制可控硅通断电路单次脉冲上升时间问题
电路如图所示，三极管驱动变压器来控制可控硅通断，要求单次脉冲上升时间为50us，但测出来的为114us，按照上升幅度的10%到90%也不符合，在电阻R20并联了一个104的电容，脉冲上升时间也下不来，有什么办法可以解决吗，这是测得磁场转换为波形的

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作者: Hephaestus 时间: 2023-12-15 15:49
上升时间太长是变压器自感太大，或者驱动不足。

加电容只能恶化上升时间，这么做的思路不是普通青年能想出来的。

变压器是从哪里弄来的，知道参数吗？

作者: 大漠落日 时间: 2023-12-17 10:39
变压器电感量太大了吧

作者: hhh402 时间: 2023-12-21 23:23
可控硅有专业驱动芯片，带有光电隔离的，新手最好不要用独立元件来驱动容易出为题。变压器体积大，价格贵，正常人是不会选的。

作者: Hephaestus 时间: 2023-12-22 03:49

hhh402 发表于 2023-12-21 23:23
可控硅有专业驱动芯片，带有光电隔离的，新手最好不要用独立元件来驱动容易出为题。变压器体积大，价格贵， ...

那是你见识的太少了，1kA的可控硅你用光耦驱动让我也乐一乐？？？

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