MOS管在光伏场现场总是烧毁,实验室则正常问题出在那里? -

标题: MOS管在光伏场现场总是烧毁,实验室则正常问题出在那里? [打印本页]

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 10:27
标题: MOS管在光伏场现场总是烧毁,实验室则正常问题出在那里?
实验室测试电流25A，MOS最高温度在125度,在75度环境下测试，工作正常；但是到了光伏现场，电流在18A左右，外壳就鼓包了，肯定是MOS管发热严重，然后拆下来，发现MOS已经烧掉了

MOS烧毁.jpg (223.15 KB, 下载次数: 40)

作者: Y_G_G 时间: 2024-7-6 11:18
D1二极管的存在,使两个MOS管工作在放大区,或者是叫恒流,未完全导通,怎么叫都行了
两个MOS管的D极应该是直接接地的
而且,这两个MOS管在25A也好,18A也好,在这个工作电流下,几乎是没有发热的,或者是只是温温的而已

作者: xiaobendan001 时间: 2024-7-6 12:25
会不会是驱动电压不够

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 13:23
D1 是光伏板的旁路二极管，也省不了。D1二极管的存在,使两个MOS管工作在放大区,这个怎么理解？另外我这个是固定电平12V驱动，按规格书来说，驱动这个电流是没啥问题的，但是发热量很大

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 13:36

ljfljfljf321 发表于 2024-7-6 13:23
D1 是光伏板的旁路二极管，也省不了。D1二极管的存在,使两个MOS管工作在放大区,这个怎么理解？另外我这个是 ...

这个地方是焊接MOS的地方，现在都鼓起来了

1.jpg (47.75 KB, 下载次数: 41)

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 13:45
另外，哪种软软的散热胶能推荐一款吗

作者: LHWCCJ 时间: 2024-7-6 13:53
把那几个端口接什么的说明一下，什么负载，
你这个温度打什么胶都没用

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 14:08
主要功能是通过板上的MOS把光伏板串起来

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 14:13
另外，就上上面Y_G_G 所说的，这个20A的电流对于这个ID是135A是很轻松的

C503059_场效应管(MOSFET)_NCEP039N10D_规格书_NCE(无锡新洁能)场效应管(MOSFET)规格书.PDF

338.25 KB, 下载次数: 14

作者: donglw 时间: 2024-7-6 14:35
解决问题不需要捉迷藏，光伏在上个世纪后期开始大规模生产，专利至少需要半个月时间才能读完。
产品推向市场需要小规模生产和测试、中规模生产和测试、大规模生产和测试三个过程。经过三个过程可以发现许多技术和生产隐患。例如：设计是否采用可制造的设计方案等。
现场的温度、湿度等影响因素没有告知，... ...

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 14:39

donglw 发表于 2024-7-6 14:35
解决问题不需要捉迷藏，光伏在上个世纪后期开始大规模生产，专利至少需要半个月时间才能读完。
产品推向市 ...

环境温度不超过40度，湿度50%，就是正常户外屋顶

作者: coody_sz 时间: 2024-7-6 14:40
楼主没用对，NCEP039N10D-TO263的典型通阻为3.5mR@VGS=10V，20A时发热功率1.4W，做好散热不应该很热。楼主驱动有问题，EG3001驱动N-MOSFET，则EG3001的GND应该与N-MOSFET的S极链接，而楼主的电路我看不出来正常的链接。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 14:54
图上PV-实际就是GND，N-MOSFET的S极和地之间串了个电阻，用来测量电流

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-6 14:59
实际上是这样的

1.jpg (239.25 KB, 下载次数: 39)

作者: LHWCCJ 时间: 2024-7-6 16:25
楼主你的EG3001用错了，你自己看一下规格书里的电路

a6f6d4ac8a3a09ad9925397a4a4d386.png (54.39 KB, 下载次数: 36)

作者: Y_G_G 时间: 2024-7-6 18:12

ljfljfljf321 发表于 2024-7-6 14:13
另外，就上上面Y_G_G 所说的，这个20A的电流对于这个ID是135A是很轻松的

这跟MOS的驱动能力关系不大,或者是说,这跟电路关系很大,你二极管接在那个位置是恒流电路
你尝试把二极管改成这种接法试一下,这是开关电路

作者: donglw 时间: 2024-7-6 18:14

ljfljfljf321 发表于 2024-7-6 14:59
实际上是这样的

你搭建的电路与说明书不同，上传EG3001数据手册。

EG3001_带SD功能单通道驱动芯片数据手册V1.0.pdf

1.02 MB, 下载次数: 7

作者: fishafish 时间: 2024-7-6 20:55
2个驱动电阻100欧太大了，改成10欧试试

作者: coody_sz 时间: 2024-7-6 22:59

ljfljfljf321 发表于 2024-7-6 14:59
实际上是这样的

这样画就正常了。按理，两个并联才18A电流，发热功率不到0.6W，不会过热的，你电路可能还有别的问题，比如将两个栅极蝉联电阻改为10欧姆试试。

作者: ljfljfljf123 时间: 2024-7-7 18:33

LHWCCJ 发表于 2024-7-6 16:25
楼主你的EG3001用错了，你自己看一下规格书里的电路

他的驱动电流1A，驱动两个MOS应该没问题

作者: ljfljfljf123 时间: 2024-7-7 18:36

Y_G_G 发表于 2024-7-6 18:12
这跟MOS的驱动能力关系不大,或者是说,这跟电路关系很大,你二极管接在那个位置是恒流电路
你尝试把二极管 ...

能详细说明下吗，一下子理解不了

作者: Y_G_G 时间: 2024-7-8 00:39

ljfljfljf123 发表于 2024-7-7 18:36
能详细说明下吗，一下子理解不了

一时半会说不完,百度一下"三极管恒流电路"
MOS管也可以当成三极管来分析

作者: wufa1986 时间: 2024-7-8 08:16
被暴晒的话，光伏最高电压，外壳温度不止75度

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-8 09:00
嗯，拆开发现MOS焊盘的锡都化了，把板子都烧黄了

作者: npn 时间: 2024-7-8 09:51

ljfljfljf321 发表于 2024-7-8 09:00
嗯，拆开发现MOS焊盘的锡都化了，把板子都烧黄了

MOS管温度高可能选型有问题，你这电路适合用铝基板或铜基板，用高熔点焊锡人工焊接，不要用回流焊锡膏。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-8 13:01

npn 发表于 2024-7-8 09:51
MOS管温度高可能选型有问题，你这电路适合用铝基板或铜基板，用高熔点焊锡人工焊接，不要用回流焊锡膏。

这个都可以，关键事发热量把外壳都烤变形了，到最后锡都融掉了，MOS的脚都翘起来了

作者: Y_G_G 时间: 2024-7-8 14:01

ljfljfljf321 发表于 2024-7-6 14:59
实际上是这样的

你这个电路一会这样,一会那样,我估计到现在都没有人能看明白你的电路

作者: 起家 时间: 2024-7-8 14:03
示波器测波形

作者: 454746918 时间: 2024-7-8 14:19

ljfljfljf321 发表于 2024-7-8 13:01
这个都可以，关键事发热量把外壳都烤变形了，到最后锡都融掉了，MOS的脚都翘起来了

为什么楼主把15楼的回复忽略了？不检查一下是不是电路有问题？

作者: 454746918 时间: 2024-7-8 15:11

ljfljfljf123 发表于 2024-7-7 18:33
他的驱动电流1A，驱动两个MOS应该没问题

EG3001结构框图所示，6脚是OC或OD输出，是用来控制关断MOS的，你用来独立驱动N MOS了

EG3001.jpg (44.35 KB, 下载次数: 34)

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-8 16:11

454746918 发表于 2024-7-8 15:11
EG3001结构框图所示，6脚是OC或OD输出，是用来控制关断MOS的，你用来独立驱动N MOS了

典型应用图就是这样连接的啊

作者: 454746918 时间: 2024-7-8 16:24
不好意思，是我看错了，开始没注意那条线，哈哈

作者: ZSJM 时间: 2024-7-8 17:20
R1,10欧, 起保护作用吧, 当EG3001内部控制有问题时, 减少故障损失, 理论上平时不用也可以. 6,7脚直接连接.

实际上,MOS的导通电阻,实际是随温度而升高的. 所以实际功耗可能更高. 要做好散热, 最好用TO220封装.用铝壳密封使用. 可能考虑用多个MOS管并联使用.因为单个管子散热面积是有限的, 多个并联有利于散热.因为单个管子与散热器的接触面积不如多个管子与散热器的接触面积,热量更容易传导出来.
锡都融化, 可能有其它故障, 如12V供电出现过问题.EG3001驱动出现过问题. 或出现过短路导致MOS电流远高于设定值.

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-9 08:15
现在是2个并连，其中一个特别热，最后结果就是烧毁

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-9 08:25
都搞成这样子了

df60eb9a3a0beb72ffc8567ee54abd6.png (702.97 KB, 下载次数: 38)

作者: banguangan 时间: 2024-7-9 16:20
楼上的都和你给你找出原因了，按你的电路接法，接EG3001的outd的那一路mos管开通没问题，关断完全靠10k电阻放电，关断时间太长，肯定发热，接outs那一路的mos根本就没工作。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-9 16:58
不是吧，outd和outs是连在一起的，如果关断的话，outs直接拉低的

作者: wufa1986 时间: 2024-7-9 17:01
说了这么多感觉你还是没明白，不懂就按照规格书电路照搬，不要自作聪明，你这驱动接法完全不对，更神奇的是居然通过测试产品上线了

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-10 08:58

wufa1986 发表于 2024-7-9 17:01
说了这么多感觉你还是没明白，不懂就按照规格书电路照搬，不要自作聪明，你这驱动接法完全不对，更神奇的是 ...

我不想打击你，我这个MOS一般来说不会关断，这次出问题，也是在开启状态，所以你说的关断时出现关不断，也许可能存在，但不是现在这个问题的原因

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-10 09:35

wufa1986 发表于 2024-7-9 17:01
说了这么多感觉你还是没明白，不懂就按照规格书电路照搬，不要自作聪明，你这驱动接法完全不对，更神奇的是 ...

outS是关断引脚，从芯片的原理框图可以看到关断的时候outS直接拉低了，怎么会是关断的时候是靠10K拉低

1.jpg (243.04 KB, 下载次数: 39)

作者: lzts88 时间: 2024-7-10 10:22
都找不到本质, 实验室没问题, 应该这电路在这电流就应该没问题了. 要从外部找原因, 外因就是, 过载了, 因为光伏输出, 随外部负载会变化的(如充电, 亏电和满电的充电电流不一样, 直接输进电网, 高峰和谷底电流也不一样), 知道原因, 再回看电路, 3毫欧电阻是过载检测然后通过EG3001的SD关断输出的, 你把SD直接下地, 就认为永不过载了. 把这部分电路恢复吧

作者: wufa1986 时间: 2024-7-10 11:12

ljfljfljf321 发表于 2024-7-10 09:35
outS是关断引脚，从芯片的原理框图可以看到关断的时候outS直接拉低了，怎么会是关断的时候是靠10K拉低

6 OUTS O 驱动输出吸入端,能吸入 1.2A 的灌电流输出能力
7 OUTD O 驱动输出源出端,能源出 1A 的拉电流输出能力
很明显需要6和7搭配才能驱动一个mos管，你怎么会设计成驱动2个MOS管呢，你用示波器看看mos的G极波形是不是很差

作者: npn 时间: 2024-7-10 13:42

ljfljfljf321 发表于 2024-7-9 08:25
都搞成这样子了

请问这板子是你自己打的吗?
MOS管换TO-220等直插大功率封装，加铝片散热、导热硅脂与风扇，允许正常温度范围见数据手册。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-10 14:21

npn 发表于 2024-7-10 13:42
请问这板子是你自己打的吗?
MOS管换TO-220等直插大功率封装，加铝片散热、导热硅脂与风扇，允许正常温度 ...

在实验室恒温箱测试条件：通25A直流电流，环境温度70度，8小时通电测试，实测MOS温度123度，通断都没有问题

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-10 14:25

lzts88 发表于 2024-7-10 10:22
都找不到本质, 实验室没问题, 应该这电路在这电流就应该没问题了. 要从外部找原因, 外因就是, 过载了, 因为 ...

我默认不过载，实际运行电流在15A左右，我测试25A；就像您说的，光伏输出不稳定，网上查了下，说是2个MOS在通不稳定电流的时候会形成环流，导致严重发热

作者: 土豆我是地瓜 时间: 2024-7-11 17:09
EG3001二脚的控制波形是什么样的，是一个高电平，还是一定频率的高低电平

作者: tt2016 时间: 2024-7-11 22:35
这两个管子是并联的，看样子是走负载，不是做PWM开关，EG3001二脚应该是一个持续的高电平吧？但是你说管子热的锡都化了这点电流应该不至于，你在工作的时候用万用表测试下这两个管子的D，S之间的电压，看看是多少毫伏，如果不是毫伏级别的电压那就是管子没导通，如果没导通那确实会热化的

作者: TTQ001 时间: 2024-7-12 07:54
是否在实验室做过环境测试？环境测试不仅应包括高温和高湿，还应包括冲击、振动和机械项目。可以检查现场环境条件是否与实验室设置相当。

作者: 2300606886 时间: 2024-7-13 11:59
mos管烧毁无非2种：1过压瞬间击穿，2过热很快烧毁（过流/Vgs半导通）；分析：
1、过压：继电器连接线太长，续流二极管应该靠近继电器，不然感应电压可能超限是有可能瞬间击穿，烧开路就是蹦出一个坏点损坏，击穿短路管子就是烧毁烧糊状态；
2.若Vgs偏小或震荡不稳定，导通电阻可能会急剧增大到2.56W/0.27A²≈35Ω时，发热就会很严重弱散又热欠佳时就有可能很快会烧毁；
3.自恢复保险PPTC瞬间过流保护能力不足的！往往要好多倍工作电流且好几秒才能保护，这里烧毁前起不到丁点作用的！
4.R15/R16值问题：没有问题！驱动Vgs或泄露足够的了！
5.光耦U4问题：
光耦驱动电压一般为1.2-1.4V,电流一般为5-20mA。而单片机引脚上电默认为准双向口模式，灌电流可达20mA,但是拉电流只有几百uA, 那么当引脚输出1时是不可能正常驱动光耦的。应该该光耦驱动电路为低电平有效控制灌电流方式；
综合判断：光耦驱动电路错误造成MOS管Vgs未达到正常开关状态或继电器连线太长D19续流二极管位置不对等造成的感应过压或震荡等等原因，造成MOS管击穿或烧毁！

作者: chchking 时间: 2024-7-13 13:29
batter R??

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-13 14:42

tt2016 发表于 2024-7-11 22:35
这两个管子是并联的，看样子是走负载，不是做PWM开关，EG3001二脚应该是一个持续的高电平吧？但是你说管子 ...

不是做PWM开关，MOS常开，诡异的是总是烧同一个

作者: 邵123456 时间: 2024-7-13 16:29
看了这么多网友的回复消息，感觉可能忽略了一个问题，虽然你是并联两个MOS管，但是没有性能完全一致的两个MOS管，除非是在一个晶圆上的，很明显楼主这是外接的两个同型号MOS管，而MOS管的输出电流大概18A左右，所以这里就要求对每个MOS管的驱动电流至少要大于1A，而楼主的最大驱动电流1A是分给两个MOS管使用，这里不合理，导致开通时间加长，MOS管很有可能在开通时就被损坏（米勒平台干扰很厉害，可以测试Vgs波形），因为楼主这设计属于高压、大电流开通，开通瞬间MOS管上的di/dt是很大的，会瞬间损伤MOS管，两个并联损坏程度不同，如果布局不合理的话就会每次都损坏对应位置的MOS，楼主可以关注一下大功率MOS管的驱动电路设计

作者: 邵123456 时间: 2024-7-13 16:29
我是对楼主这个问题挺有兴趣的，因为最近在搞MPPT电路，所以希望能继续交流

作者: 邵123456 时间: 2024-7-13 16:53

邵123456 发表于 2024-7-13 16:29
看了这么多网友的回复消息，感觉可能忽略了一个问题，虽然你是并联两个MOS管，但是没有性能完全一致的两个M ...

还有一种情况就是虽然检流电阻上的电流在18A，MOS管有可能工作在了放大区，导致MOS管的Rdson就很大，此时MOS管上的功率就会很大，所以应该确认一下18A时，MOS管的VDS压降是多少，判断MOS管是不是工作在放大区，因为在MOS管的S端接检流电阻，确实是类似N型三极管的恒流源接法，N型三极管的恒流源三极管是工作在放大区的

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-13 16:58

邵123456 发表于 2024-7-13 16:29
看了这么多网友的回复消息，感觉可能忽略了一个问题，虽然你是并联两个MOS管，但是没有性能完全一致的两个M ...

烧毁的是远离输出的那一个（相对另外一个），有可能MOS管很有可能在开通时就被损坏，因为现场的话没人巡视，只知道坏了，然后拆开来就是发现固定位置的那个MOS烧掉了

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-13 17:01
线路板上MOS的位置

1720861238407.png (14.27 KB, 下载次数: 396)

作者: 邵123456 时间: 2024-7-13 22:47

ljfljfljf321 发表于 2024-7-13 16:58
烧毁的是远离输出的那一个（相对另外一个），有可能MOS管很有可能在开通时就被损坏，因为现场的话没人巡 ...

你可以在实验室测试一下MOS管开通时的Vgs，Vds波形，如果平台震荡很严重的话，说明在开通时候就已经损伤了，如果你的输入电压很高的话，建议选择慢开通的MOS管，高压的开通很难做，了解到你不需要管断MOS，其实大电流的关断也难做，具体情况需要测试配合平台震荡与否去匹配

作者: ljfljfljf123 时间: 2024-7-14 17:46

邵123456 发表于 2024-7-13 22:47
你可栽谑笛槭也馐砸幌翸OS管开通时的Vgs，Vds波形，如果平台震荡很严重的话，说明在开通时候就已经损伤 ...

我再测试下，目前根据网友说的意见，暂时先卸掉一个MOS管挂网运行下，看看情况

作者: 邵123456 时间: 2024-7-15 08:43

ljfljfljf123 发表于 2024-7-14 17:46
我再测试下，目前根据网友说的意见，暂时先卸掉一个MOS管挂网运行下，看看情况

期待您的测试结果

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-15 09:14
大家看看还有什么原因可能导致这种情况的发生

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-7-15 09:27

邵123456 发表于 2024-7-15 08:43
期待您的测试结果

关于大功率MOS管的驱动电路设计这块，您有资料可以推荐下吗

作者: 邵123456 时间: 2024-7-15 13:33

ljfljfljf321 发表于 2024-7-15 09:27
关于大功率MOS管的驱动电路设计这块，您有资料可以推荐下吗

可以看看TI、英飞凌或者其他的都有关于这方面的

作者: 炸掉的电容 时间: 2024-7-15 16:35
楼主我看你图片是贴了一个合金电阻按你说的18*18*0.01>3W 这种合金电阻功率一般也就2w 3w的样子看看是不是这里

作者: 蓝蓝小星星 时间: 2024-7-19 16:58
这么多人怎么没一个怀疑买到假货，mos假货泛滥，同等品牌100a的mos，假货只有1/2电流或更低，更差的是缩水到原有的1/5.

作者: hezezeze 时间: 2024-8-7 17:14
MOS管在光伏现场出现烧毁的情况，而实验室测试时则正常，这个问题可能是由以下几个因素引起的：

1. **环境温度差异**：实验室的环境温度通常比现场环境要低。MOS管在更低的环境温度下工作时，其热应力较小，不容易达到过热的状态。在光伏现场，由于外部环境（如太阳辐射、空气温度）较高，MOS管在相同的电流下产生的热量可能超出其在实验室条件下的预期，导致过热。

2. **散热条件差异**：在实验室，MOS管可能有良好的散热条件，比如有效的散热片、风冷或水冷系统，能够及时将热量散发出去。但在现场环境下，散热条件可能受限，比如部件周围的温度高，周围介质的热阻大，或者没有充分的散热措施，导致热量积累，引发过热。

3. **电流分布差异**：在光伏系统中，电流的分布情况可能与实验室测试时不同。光伏阵列在高负载时，电流可能会更加集中或分布不均，这可能会导致MOS管局部过热。而实验室测试时，电流分布可能较为均匀，热应力分布也更加合理。

4. **电压波动**：光伏系统的电压可能会因为光照强度、负载变化等外部因素而波动。在极端条件下，电压波动可能会导致MOS管的工作条件不理想，进一步增加其发热。

5. **MOS管选型或参数不匹配**：实验室测试时可能使用的是在更低热应力环境下的工作参数，而在现场环境下，MOS管需要承受更高的热应力。如果MOS管的选型或参数设计不充分考虑现场环境的实际情况，可能会导致其在实际使用中过热。

6. **封装和安装问题**：现场环境下，MOS管的封装和安装方式可能没有实验室那么严格或有效。封装材料的热导性、散热路径的完整性都可能影响MOS管的散热效果。

解决这个问题，可以考虑以下措施：

- **优化散热设计**：在MOS管周围增加有效的散热材料或加大散热面积，确保足够的热交换。
- **使用更耐热的MOS管**：选择在高温环境下具有更好热性能的MOS管，或者使用更高效能的散热解决方案。
- **监测和控制环境温度**：在可能的情况下，减少高温的影响，比如通过遮阳、优化设备布局等方式减少外部热源的影响。
- **优化电流管理**：确保电流分布均匀，减少局部过热的风险。
- **定期检查和维护**：在使用过程中定期检查MOS管的温度和状态，及时发现并处理过热问题。

通过综合考虑以上因素，可以有效地减少MOS管在光伏现场使用时的热应力，提高其使用寿命和可靠性。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-8-9 09:20

炸掉的电容发表于 2024-7-15 16:35
楼主我看你图片是贴了一个合金电阻按你说的18*18*0.01>3W 这种合金电阻功率一般也就2w 3w的样子看看是 ...

不是这里

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-8-9 09:22

蓝蓝小星星发表于 2024-7-19 16:58
这么多人怎么没一个怀疑买到假货，mos假货泛滥，同等品牌100a的mos，假货只有1/2电流或更低，更差的是缩水 ...

同一批的MOS，用稳压电源测试，同样的电流，没有问题，所以不存在假货的说法

作者: yaosongjin 时间: 2024-8-9 12:00
在实验室测试时MOS温度这么高就说明有问题了吧

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-8-9 13:36

yaosongjin 发表于 2024-8-9 12:00
在实验室测试时MOS温度这么高就说明有问题了吧

MOS温度=环境温度+自生发热温度，环境温度70左右，MOS温度测量是103度，那么发热温度大概就是30多度，应该是正常的吧

作者: dyx811 时间: 2024-8-9 15:00
很明显，驱动电压不够啊。
MOS是电压驱动器件。当Vgs电压不足以使其完全导通时，就成了放大电路了。
重点检查Vgs驱动电压，看这电路，用一个万用表应该就可以检查出来。往往是10K下拉电阻的问题。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-8-10 08:49
在实验室的时候测试过，GS端电压11.7V，应该是没有的问题的，但是到了现场，这个就有点不好说了

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-8-10 08:52
看到其它方案上，在这个反接二极管上并了个电阻，这个起什么作用

321.jpg (243.33 KB, 下载次数: 294)

作者: univers 时间: 2024-8-23 17:30
100%是过热，爆掉的。过热原因自己找。

作者: ljfljfljf321 时间: 2024-9-6 14:42
现在换了单MOS，还是会发生过热烧毁的现象，电流只有15A左右,mos用的是NCEP039N10D

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