标题: 传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点? [打印本页]

作者: QWE4562012    时间: 2025-1-11 11:36
标题: 传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点?
1.封装小,内阻低,结温高,热阻小,结电容小、Id大,vth小的,这种传统的低压大电流的一代半导体硅MOS和三代半导体氮化镓GAN相比有哪些优缺点和异同点?(比如耐压60V以上,封装小,内阻低,热阻低、结电容小、结温高,Id大,vth小的)

2.像这种低压、大电流、小体积、小内阻的MOS有哪些国产厂商在做?帮忙推荐几个做得好的厂家

3.COOLMOS、氮化镓GAN、碳化硅SiC、砷化镓GaAS又和上面方框哪些有什么区别?

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封装小,内阻低,结温高,热阻小,Id大,vth小的,这种传统的低压大电流的一代硅MOS相.png (328.14 KB, 下载次数: 0)

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耐压60V以上,封装小,内阻低,热阻低、结电容小、结温高,Id大,vth小的.png (104.58 KB, 下载次数: 0)

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像这种低压、大电流、小体积、小内阻的MOS有哪些国产厂商在做?帮忙推荐几个做得好的厂家.png (148.24 KB, 下载次数: 0)

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