NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS -

标题: NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS [打印本页]

作者: QWE4562012 时间: 2025-1-21 09:46
标题: NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS
NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

1.这里是不是有错误啊？应该是15V加电容电压Vc_boot？

2.既然NMOS在高端需要自举，为什么不直接用PMOS？用PMOS有哪些隐患和不好的地方

1.这里是不是有错误啊？.png (114.58 KB, 下载次数: 0)

作者: yanjian 时间: 2025-1-21 11:49
PMOS贵而且性能不好.
比如你看看PMOS内阻都不会很小

作者: 明日之星8 时间: 2025-1-21 12:19
PMOS做不到那么大功率。高耐压大电流的都是NMOS。

作者: xiaobendan001 时间: 2025-1-21 18:35
大多数都放假了吧。我也放假了，上管不用PMOS的原因好像是说PMOS的高压或者大电流的型号都不太好找。成本可能比较高吧

作者: cnos 时间: 2025-2-16 13:07
对于高压应用，主控芯片输出的电平也就还是那3V 5V的，一样要想办法提升电位才能正常控制PMOS，那既然这样，就干脆用NMOS了。

作者: TTQ001 时间: 2025-2-17 00:49
NMOS 晶体管在速度和导电性方面通常比 PMOS 具有显著优势。此外，NMOS 晶体管的成本低于 PMOS。实际上，如果使用 PMOS 晶体管，则可能需要不同的电源电压，包括正电压和负电压。在散热方面，PMOS 的功率效率低于 NMOS。

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