hhh402 发表于 2025-4-16 16:18
如果作用如沙发所说的话,我觉得D1有点多余,光耦更没有必要,而且光耦速度太慢,驱动高速MOS不合适。
hhh402 发表于 2025-4-16 16:18
如果作用如沙发所说的话,我觉得D1有点多余,光耦更没有必要,而且光耦速度太慢,驱动高速MOS不合适。
coody_sz 发表于 2025-4-17 16:16
我是电路原设计者。
看完了评论,居然没人知道D1是用于三极管抗饱和的。如果没有D1,三极管退出饱和时间会 ...
coody_sz 发表于 2025-4-17 16:16
我是电路原设计者。
看完了评论,居然没人知道D1是用于三极管抗饱和的。如果没有D1,三极管退出饱和时间会 ...
TP801 发表于 2025-4-18 12:25
防止三极管进入深度饱和状态,影响开关速度,你可以仿真或者实测试试,比较一下有无二极管时的区别。
无标题.jpg (800.06 KB, 下载次数: 0)
hhh402 发表于 2025-4-18 16:46
仿真看不出来
WL0123 发表于 2025-4-16 21:11
D1就是蛇足,任何典型图腾柱驱动电路没见过此用法。
xiaobendan001 发表于 2025-4-17 19:12
那么原理呢?科普一下呗
xiaobendan001 发表于 2025-4-17 19:12
那么原理呢?科普一下呗
hhh402 发表于 2025-4-18 16:46
仿真看不出来
xianfajushi 发表于 2025-4-25 13:48
再补充一张上升图片,这才是并联二极管带来的变长影响曲线。
至于正弦波的那个图,要品品。
Y_G_G 发表于 2025-4-25 14:59
品品什么?加了二极管开关速度就是快了呀,这还要品什么
你的仿真就是错的,加了二极管开关就是快了,不是慢 ...
xianfajushi 发表于 2025-4-16 22:36
不仅D1多余Q8Q9更是多余,这充分体现了设计水平。
coody_sz 发表于 2025-4-25 17:47
你这说法,充分说明你没有实际做过这种驱动电路。
D1用于加速三极管截止速度,否则,你将会有几个us的延 ...
xianfajushi 发表于 2025-4-25 17:12
那就调到64千赫,150M的管子对于千赫信号。后级不管,就论并联二级管的这个三极管,哪里不同?不就是一个 ...
xianfajushi 发表于 2025-4-25 19:25
然而要使得后面管子速度快,也不应该并联二极管,除非有特别理由以及理论支持。
仿真就不说了,大家都有仿 ...
coody_sz 发表于 2025-4-26 13:51
大功率的MOSFET的输入电容可以到nF级别,实际计算要看Total Charge的库伦量,比如AOD403的VGS=10V时Total ...
Y_G_G 发表于 2025-4-26 09:36
这种电路叫抗饱和电路,是电路知识中的一种,理论依据什么的就不要去纠结了,你不知道是因为这种电路并不像 ...
rundstedt 发表于 2025-4-26 17:34
就是防止三极管进入深饱和状态的,当Q7 Vce低于0.5V,因为SBD D1的正向电压0.2V,而Q7 Vbe是标准的0.7V二极 ...
xianfajushi 发表于 2025-4-26 17:54
不用纠结?这不是提问者意愿,也不是论坛意愿,不是围观意愿,也不是参与者的意愿,大家都想弄明白,学些 ...
coody_sz 发表于 2025-4-27 18:08
如果没有抗饱和电路,三极管截止会延时达到2us以上,而上下臂死区小于1us的话,就有烧管的危险,怎能说没 ...
xianfajushi 发表于 2025-4-26 17:54
不用纠结?这不是提问者意愿,也不是论坛意愿,不是围观意愿,也不是参与者的意愿,大家都想弄明白,学些 ...
Y_G_G 发表于 2025-4-28 13:13
1,你仿真的电路依然是不对的,很显然,你不太懂得用这个仿真软件
2,仿真结果确实只是参考而已,这不代表实 ...
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