标题:
NMOS高侧供电关断保护问题
[打印本页]
作者:
samxon
时间:
2025-6-8 20:11
标题:
NMOS高侧供电关断保护问题
大家好,
图中OUT+为24V, OUT+12为电荷泵抬升电压驱动NMOS导通。 HOUT和LOUT接负载灯泡。 通过拉低NMOS的G极电压能否实现关断NMOS实现负载短路保护的目的,会不会导致NMOS反向击穿,或有什么建议,请各位帮忙分析一下。谢谢。
1234.JPG
(34.13 KB, 下载次数: 0)
下载附件
2025-6-8 20:07 上传
作者:
banguangan
时间:
2025-6-9 11:02
不会反向击穿的,也不能短路保护,但R4、R6要放到光耦的E极,mos-g直接接e极,当光耦不导通时,通过R4、R6拉低GD的电压,关闭MOS。
作者:
太阳雨ZW
时间:
2025-6-9 14:46
两个MOS管的GS要接电阻,不然MOS管不会关断。
欢迎光临 (http://www.51hei.com/bbs/)
Powered by Discuz! X3.1