三极管和pmos损坏 - - Powered by Discuz!

标题: 三极管和pmos损坏 [打印本页]

作者: 新手村小白 时间: 2025-6-18 16:55
标题: 三极管和pmos损坏
想问一下用三极管和pmos组合控制5v通断，如果频繁开关三极管和pmos管会容易损坏吗

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作者: zhuls 时间: 2025-6-18 19:53
R56小了

作者: rundstedt 时间: 2025-6-18 20:00
那么CPU内部MOS管每秒钟通断40亿次，每年通断多少次提问者会算吗？

作者: 蓝蓝小星星 时间: 2025-6-18 20:45
容性负载有一定风险。

作者: hhdsdy 时间: 2025-6-18 20:54

zhuls 发表于 2025-6-18 19:53
R56小了

我对mos管不了解，只知道是电压驱动型的，好像很多电路连R56都不用，有用的也在100~200Ω之间，所以，能说一下R56该如何取值吗？

作者: rundstedt 时间: 2025-6-18 21:17

zhuls 发表于 2025-6-18 19:53
R56小了

MOSFET G极静态电阻无穷大，R56多大是完全无所谓的，零都可以。如果从微功耗角度考虑，你还是关心一下R55的阻值吧。

作者: hgy123321 时间: 2025-6-18 21:22
重点在于降低开关损耗减小R56确保驱动足够调整R58

作者: keemee 时间: 2025-6-19 04:16
Q8是MOS管的体二极管？

作者: WL0123 时间: 2025-6-19 06:38
楼主杞人忧天，此电路如果是单片机IO控制且VCC为5V，Q9也是多余的。

作者: vscos 时间: 2025-6-19 06:47
不满功率工作，一般不会坏，

作者: DEpuma 时间: 2025-6-19 08:31
一般不会坏的

作者: GlenXu 时间: 2025-6-19 09:24
如果是连续的ms级甚至更快的连续开关，
则R55\R56都大了，特别是有点大的负载时，这会导致开关的前沿和后延不够陡，最终MOS管发热损坏，
我有过这样的例子，是R55=10K引起的，改到4.7K以下就好很多，太小了三极管负担重。

作者: cyi8 时间: 2025-6-19 13:49
看你说的频繁开关到底有多频繁,开关频率是多少,选用的PMOS要与开关频率匹配.一般开关频率不高的不容易坏的,这种驱动电路最好是用一个NMOS搭配一个PMOS控制,也就是把Q9换成NMOS,功耗降低了还更耐用

作者: man1234567 时间: 2025-6-19 14:23
开关电源中MOS管每秒开关从几十次到几十万次都有，不知道你对频繁的定义是啥

作者: zch5200 时间: 2025-6-19 16:20
R56改成10Ω以下，R55=500Ω~1K让9013工作电流5~10mA。你现在的参数估计SI2309会发热。给个10K的信号MOS和三极管都不会损坏。

作者: TTQ001 时间: 2025-6-23 00:38
晶体管和PMOS并非机械开关。频繁使用不会损坏它们，但它们工作的电气条件会影响它们的寿命。

作者: m182892 时间: 2025-6-23 09:00

rundstedt 发表于 2025-6-18 20:00
那么CPU内部MOS管每秒钟通断40亿次，每年通断多少次提问者会算吗？

365*24*60*60*24*10*10^8次

作者: aayon1979 时间: 2025-6-29 22:07
如果是5V控制信号，Q9不需要，

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