2M字节的串行Flash芯片At45DB161D单片机驱动代码+头文件at45db161_drv.h -

标题: 2M字节的串行Flash芯片At45DB161D单片机驱动代码+头文件at45db161_drv.h [打印本页]

作者: niuniu 时间: 2015-3-25 00:10
标题: 2M字节的串行Flash芯片At45DB161D单片机驱动代码+头文件at45db161_drv.h
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// ATMEL串行Flash芯片At45DB161D驱动
// 采用512字节/页模式以提高代码的时间/空间效率
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#include "..\include\AT89X52.H"
#include "..\include\at45db161_drv.h"

//芯片的CS信号==由P20~P22经过3-8线译码器产生的Y2
//若采用其他方式产生CS信号，应修改AT45161_CS()函数
uint CS=0xff;
void AT45161_CS(uchar v)
{
CS |= 0x07;       //???? ?111
if(v==0) CS &= 0xfa; //???? ?010
P2 = CS;
}
//----------------------------------------------------------
// 字节写函数
//----------------------------------------------------------
void Flash_Byte_Write(uchar v)
{
uchar i;
for(i=0; i<8; i++)
{                                     //vvvv位值=>MOSI
      if(v&0x80) AT45161_MOSI = 1;
      else    AT45161_MOSI = 0;
      AT45161_CLK = 0;          //CLK为低,准备产生上升沿
      v <<= 1;                            //准备下一个位
      AT45161_CLK = 1; //CLK为高,产生一个上升沿,移进一位
}
}
//----------------------------------------------------------
// 字节读函数
// 注意进入次函数之前要确保FLASH_CLK引脚为高
//----------------------------------------------------------
void Flash_Byte_Read(uchar* v)
{
uchar i;
*v = 0x00;
AT45161_MISO = 0x01;                   //设置AT45161_MISO对应的Px_y为输入
for(i=0; i<8; i++)
{
      AT45161_CLK = 0;    //CLK为低,产生下降沿,移出一位
      (*v) <<= 1;
      if(AT45161_MISO) (*v) += 0x01; //取移出的那一位值
      AT45161_CLK = 1;          //CLK为高,准备产生下降沿
}
}
//----------------------------------------------------------
// 函数: Flash_Init()
// 参数:
// 说明: 复位AT45DB161芯片到512Bytes/Page模式,注意本函数仅
//    运行一次就够了
// 返回: 无
// 创建:
// 修改:
//----------------------------------------------------------
void Flash_Init()
{
AT45161_CLK = 1;                            //CLK为高
AT45161_CS(0);
Flash_Byte_Write(0x3d);//设置为512字节/页模式的命令==0x3d2a80a6
Flash_Byte_Write(0x2a);
Flash_Byte_Write(0x80);
Flash_Byte_Write(0xa6);
AT45161_CS(1);
}
//----------------------------------------------------------
// 函数: Flash_Write(...)
// 参数: address:写AT45DB161D的起始地址
//    data:被写数据的缓冲区
//    nbytes:要写入的字节数
// 说明: 写一定字节的数据到AT45DB161D指定地址
// 返回: 无
// 创建:
// 修改:
// 命令格式:连续写=8位命令82H+3位任意+21位地址
//                1000 0010  ???a aaaa aaaa aaaa aaaa aaaa
//----------------------------------------------------------
void Flash_Write(ulong address, uchar* buf, uint nbytes)
{
uint i;
uchar status = 0;
AT45161_CLK = 1;                            //CLK为高
AT45161_CS(0);
address |= ((ulong)0x82<<24);
for(i=0; i<4; i++)                   //4字节命令/地址
      Flash_Byte_Write((address>>(24-8*i)) &0xff);
while(nbytes--) Flash_Byte_Write(*buf++);
AT45161_CS(1);
while((status & 0x80) == 0)
{                   //读回状态寄存器,Bit7=1说明写成功了
      AT45161_CS(0); //注意读状态寄存器时对CS信号的要求!
      Flash_Byte_Write(0xD7);
      Flash_Byte_Read(&status);
      AT45161_CS(1);
}
AT45161_CS(1);
}
//----------------------------------------------------------
// 函数: Flash_Read(...)
// 参数: address:读AT45DB161D的起始地址
//    buf:数据缓冲区
//    nbytes:要读入的字节数
// 说明: 从AT45DB161D指定地址开始读一定字节数的数据到buf
// 返回: 无
// 创建:
// 修改:
// 命令格式:连续读=8位命令E8H+3位任意+21位地址+32个填充位
//                1110 1000  ???a aaaa aaaa aaaa aaaa aaaa ....
//----------------------------------------------------------
void Flash_Read(ulong address, char* buf, uint nbytes)
{
uchar i;
AT45161_CLK = 1;
AT45161_CS(0);
address |= ((ulong)0xE8<<24); //注意ulong强制类型转换!
for(i=0; i<4; i++)                   //4字节命令/地址
      Flash_Byte_Write((address>>(24-8*i))&0xff);
for(i=0; i<4; i++) Flash_Byte_Write(0xff); //4字节填充位
while(nbytes--) Flash_Byte_Read(buf++);
AT45161_CS(1);
}

作者: niuniu 时间: 2015-3-25 00:10
下面是头文件的内容：
#ifndef __AT45DB161_DRV__
#define __AT45DB161_DRV__

#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
#define ulong unsigned long

#define AT45161_MISO P0_3
#define AT45161_MOSI P0_4
#define AT45161_CLK P0_5

void Flash_Init();
void Flash_Write(ulong address, uchar* buf, uint nbytes);
void Flash_Read(ulong address, uchar* buf, uint nbytes);

#endif

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