标题: 避开无源元件的陷阱-32年前撰写,依然值得深度的文章 [打印本页]

作者: 51黑fan    时间: 2016-1-30 03:39
标题: 避开无源元件的陷阱-32年前撰写,依然值得深度的文章
     ------------------------------------------------------ 32年前撰写,依然值得深度的文章


       这是发表在1983年《模拟对话》上的一篇文章,由今天的ADI院士Scott Wurcer及其同事Doug Grant撰写。32年,已经超过很多筒子的年龄,但里面的诸多观点依然值得大家一读。分享出来供大家参考,原文PDF下载请点击链接: AN-348_cn.pdf (770.29 KB, 下载次数: 10)


        假设您花费 25 美元或更多钱购买了一个精密运算放大器或数据转换器,插入电路板后,您却发现,器件与其技术规格不符。可能是电路受漂移影响,频率响应不佳,发生振荡,或者根本无法实现您期望的精度。不过,先不要抱怨器件本身,而应当先检查您的无源元件,包括电容、电阻、电位器,当然还有印刷电路板本身。容差、温度、寄生效应、老化以及用户组装过程的微妙影响,可能会在不经意间搞垮您的电路。而且,制造商常常对所有这些影响不加说明或语焉不详。一般而言,如果使用 12 位或更高分辨率的数据转换器,或者价格在5美元以上的运算放大器,则无源元件的选择尤其应当慎重。为了更好地说明这一问题,请考虑一个 12 位数模转换器(DAC)。半个LSB(最低有效位)对应于满量程的 0.012%,或百万分之 122 (ppm)!在各种无源元件的影响下,误差可能会快速累积,从而远远超过 122。

        购买昂贵的无源元件并不一定能解决问题。很多情况下,如果选择得当,则利用 25 美分电容所实现的设计,可能比利用 8 美元的电容的设计性能更好、性价比更高。了解和分析无源元件的影响虽然并非易事,不过却是非常值得的;下面将介绍一些基本知识。

电容
    大多数设计人员一般都很熟悉现有的各种电容。但是,电容种类繁多,包括玻璃电容、铝箔电容、固态钽和钽箔电容、银云母电容、陶瓷电容、特氟龙电容,以及聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚丙烯类型的薄膜电容等,因此精密电路设计中发生静态和动态误差的机制很容易被忘记。

    图 1 显示了一个非理想电容的等效模型。电阻 Rp 代表绝缘电阻或泄漏,与标称电容 C 并联。第二个电阻 Rs(等效串联电阻或ESR)与该电容串联,代表引脚和电容器极板的电阻。电感L(等效串联电感或 ESL)代表引脚和电容板的电感。最后,电阻Rda 和电容Cda 一起构成电介质吸收现象的简化模型。无论是快速电路还是慢速电路,电介质吸收现象均可能会破坏其动态性能。
1. 电容等效电路
电介质吸收
    我们首先讨论电介质吸收,也称为“浸润”,有时也称为“电介质迟滞”,这可能是我们了解最少而潜在破坏性最高的一种电容效应。放电时,多数电容都不愿意放弃之前所拥有的全部电荷。图2 显示了这一效应。电容在时间 t 0 充电至 V 伏后,开关在时间 t1将电容短路。在时间 t 2,电容开路;残余电压在其引脚上缓慢积累,达到近乎恒定的值。此电压就是由“电介质吸收”引起的。【备注:绝缘是多层的,这些多层绝缘材料在施加直流电压的时候就会出现吸收现象,即这些绝缘层逐渐吸收电流,逐渐减小,而最后趋近于恒定值(泄漏电流).这种绝缘介质在充电过程中逐渐吸收电荷的现象叫吸收现象.绝缘好的材料吸收慢,而受潮的材料由于绝缘的急剧降低很快就吸收满,成为一个很大的泄漏电流.可以通过观察测试过程中电流的变化确定材料的绝缘情况】
2. 残余电压反映电容的电介质吸收现象
    界定或测量电介质吸收的标准技术极为稀少。测量结果通常用电容上重复出现的原始充电电压的百分比表示。典型方法是:让电容充电 1 分钟以上,然后短路 1 至 10 秒的建立时间,最后让电容恢复约 1 分钟时间,再测量残余电压。

    实际操作中,电介质吸收有多种表现形式,例如:积分器拒绝复位至 0,电压频率转换器表现出异常非线性,采样保持器表现出变化不定的误差。最后一种表现形式对于数据采集系统特别不利,因为相邻通道的电压差可能达到几乎满量程。图 3 显示了一个简单采样保持器所发生的情况。

图 3. 电介质吸收在采样保持应用中引起误差
    电介质吸收是电介质材料本身的特性,但低劣的制造工艺或电极材料也会影响此特性。电介质吸收特性用充电电压的百分比表示,对于特氟龙、聚苯乙烯和聚丙烯电容,该值低至0.02%;对于一些铝电解电容,该值则高达 10% 或更大。在一定时间期限内,聚苯乙烯电容的电介质吸收率可以低至 0.002%。

    一般陶瓷和聚碳酸酯电容的典型电介质吸收率为 0.2%,这相当于8 位分辨率时的半个LSB!银云母、玻璃和钽电容的电介质吸收率通常较大,介于 1.0% 至 5.0% 之间;聚酯电容的电介质吸收率为 0.5% 左右。一般而言,如果电容技术规格表没有说明所需时间期限和电压范围内的电介质吸收率,则应格外谨慎。

    电介质吸收可以在快速建立电路的瞬态响应中产生长尾现象,例如高通有源滤波器或交流放大器。在此类应用所用的一些器件中,图 1 的 Rda-Cda 电介质吸收模型可能具有数毫秒的时间常数*。在快充快放应用中,电介质吸收与“模拟存储器”相似,电容试图记住以前的电压。

    一些设计中,如果电介质吸收效应比较简单,易于确定,并且您愿意做一些微调,则可以对其进行补偿。例如在积分器中,可以通过合适的补偿网络反馈输出信号,通过并联一个负阻抗来抵消电介质吸收等效电路。已经证明,这种补偿方法可以将采样保持电路的性能提高10 倍或更多。

寄生效应和损耗因数

    图1中,电容的泄漏电阻 Rp、有效串联电阻 Rs 和有效串联电感 L是寄生元件,可能会降低外部电路的性能。一般将这些元件的效应合并考虑,定义为损耗因素或 DF。

    电容的泄漏是指施加电压时流过电介质的微小电流。虽然模型中表现为与电容并联的简单绝缘电阻 (Rp),但实际上泄漏与电压并非线性关系。制造商常常将泄漏规定为 MΩ-μF 积,用来描述电介质的自放电时间常数,单位为秒。其范围介于 1 秒或更短与数百秒之间,前者如铝和钽电容,后者如陶瓷电容。玻璃电容的自放电时间常数为 1,000 或更大;特氟龙和薄膜电容(聚苯乙烯、聚丙烯)的泄漏性能最佳,时间常数超过 1,000,000 MΩ-μF。对于这种器件,器件外壳的表面污染或相关配线、物理装配会产生泄漏路径,其影响远远超过电介质泄漏。

    有效串联电感 ESL(图 1)产生自电容引脚和电容板的电感,它能将一般的容抗变成感抗,尤其是在较高频率时;其幅值取决于电容内部的具体构造。管式箔卷电容的引脚电感显著大于模制辐射式引脚配置的引脚电感。多层陶瓷和薄膜电容的串联阻抗通常最低,而铝电解电容的串联阻抗通常最高。因此,电解电容一般不适合高频旁路应用。

        电容制造商常常通过阻抗与频率的关系图来说明有效串联电感。不出意料的话,这些图会显示:在低频时,器件主要表现出容性电抗;频率较高时,由于串联电感的存在,阻抗会升高。

        有效串联电阻 ESR(图 1 的电阻 Rs)由引脚和电容板的电阻组成。如上文所述,许多制造商将 ESR、ESL 和泄漏的影响合并为一个参数,称为“损耗因数”或 DF。损耗因数衡量电容的基本无效性。制造商将它定义为每个周期电容所损失的能量与所存储的能量之比。特定频率的等效串联电阻与总容性电抗之比近似于损耗因数,而前者等于品质因数 Q 的倒数。

        损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容,其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之间。室温时,陶瓷电容的 DF 范围是 0.1% 至 2.5%。电解电容的 DF 值通常会超出上述范围。薄膜电容通常是最佳的,其 DF 值小于 0.1%。

容差、温度和其它影响

        一般而言,精密电容比较昂贵,甚至不易购买。事实上,电容选择会受到可获取性和容差的范围限制。一些陶瓷电容和多数薄膜型电容通常具有±1% 的容差,但其交货时间可能令人无法接受。大多数薄膜电容都可以提供±1% 以下的容差,但必须特别订购。

        大多数电容都对温度变化敏感。损耗因数、电介质吸收和电容值本身都与温度有关。对于一些电容,这些参数与温度的关系近似线性;而对于另一些电容,这些参数随温度的变化极不规则。过大的温度系数 (ppm/°C) 对于采样保持应用一般不会有很大影响,但可能会损害精密积分器、电压频率转换器和振荡器的性能。NPO 陶瓷电容的温度漂移低至 30 ppm/°C,一般是最佳选择。铝电解电容的温度系数则可能超过 10,000 ppm/°C。

        还应当考虑电容的最大工作温度。例如,聚苯乙烯电容在接近85°C 时就会熔化,而特氟龙电容则能承受 200°C 的高温。

        电容和电介质吸收对所施加电压的敏感度也可能会损害电路应用中的电容性能。电容制造商可能并未清楚地给出电压系数,但用户始终应当考虑这些因素的可能影响。例如,当施加最大电压时,一些高密度陶瓷电容的电容值可能会下降 50% 或更多!

        此外,许多类型电容的电容值和损耗因数会因频率不同而发生较大变化,主要原因是电介质常数发生变化。就此而言,聚苯乙烯、聚丙烯和特氟龙电介质较佳。

关键元件最后装配

        设计过程结束并不意味着设计人员就可以高枕无忧。常用的印刷电路板装配技术可能会使最好的设计毁于一旦。例如,一些常用的印刷电路板清洁剂可能会渗入某些电解电容中,尤其是采用橡胶端盖的电解电容。更糟糕的是,一些薄膜电容,特别是聚苯乙烯型,接触某些溶剂时会发生溶解。野蛮地对待引脚也可能会损害电容,造成随机的或间歇性电路问题。蚀箔型电容极易受损,应当特别注意。为了避免这些问题,建议将最为重要的元件安排在电路板装配过程的最后一步安装。

        设计人员还应当考虑电容的自然失效机制。例如,金属薄膜电容经常发生“自愈”现象。这些电容最初是由于电介质薄膜中的细小穿孔所产生的导电电桥而失效。但是,由此造成的故障电流可能会产生足够的热量而破坏电桥,使电容恢复正常工作(电容值变得稍低)。当然,高阻抗电路应用可能无法产生足以破坏电桥的电流。【备注:电容器失效模式和失效机理 http://www.51hei.com/bbs/dpj-43087-1.html

        钽电容也会表现出一定程度的“自愈”现象,但与薄膜电容不同的是,前者取决于故障处缓慢上升的温度。因此,钽电容在高阻抗电路中的自愈效果最佳,因为它会限制流过电容缺陷的电流浪涌。因此,高电流应用选择钽电容时要格外小心。电解电容的寿命常常取决于电解液从端盖渗出的渗透率。环氧树脂密封的性能优于橡胶密封,但在严重的反向电压或过压情况下,环氧树脂密封电容可能会爆炸。

电阻和电位计




作者: admin    时间: 2016-1-30 18:07
二楼附上:电容器失效模式和失效机理:http://www.51hei.com/bbs/dpj-43087-1.html

   电容器的常见失效模式有:击穿、开路、电参数变化(包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上下班升等)、漏液、引线腐蚀或断裂、绝缘子破裂或表面飞弧等。引起电容器失效的原因是多种多样的。各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同,失效机理也各不一样。
各种常见失效模式的主要产生机理归纳如下。
1、常见的七种失效模式
(1) 引起电容器击穿的主要失效机理
① 电介质材料有疵点或缺陷,或含有导电杂质或导电粒子;
② 电介质的电老化与热老化;
③ 电介质内部的电化学反应;
④ 银离子迁移;
⑤ 电介质在电容器制造过程中受到机械损伤;
⑥ 电介质分子结构改变;
⑦ 在高湿度或低气压环境中极间飞弧;
⑧ 在机械应力作用下电介质瞬时短路。
(2) 引起电容器开路的主要失效机理
① 引线部位发生“自愈“,使电极与引出线绝缘;
② 引出线与电极接触表面氧化,造成低电平开路;
③ 引出线与电极接触不良;
④ 电解电容器阳极引出箔腐蚀断裂;
⑤ 液体工作台电解质干涸或冻结;
⑥ 机械应力作用下电介质瞬时开路。
(3) 引起电容器电参数恶化的主要失效机理
① 受潮或表面污染;
② 银离子迁移;
③ 自愈效应;
④ 电介质电老化与热老化;
⑤ 工作电解液挥发和变稠;
⑥ 电极腐蚀;
⑦ 湿式电解电容器中电介质腐蚀;
⑧ 杂质与有害离子的作用;
⑨ 引出线和电极的接触电阻增大。
(4) 引起电容器漏液的主要原因
① 电场作用下浸渍料分解放气使壳内气压一升;
② 电容器金属外壳与密封盖焊接不佳;
③ 绝缘了与外壳或引线焊接不佳;
④ 半密封电容器机械密封不良;
⑤ 半密封电容器引线表面不够光洁;
⑥ 工作电解液腐蚀焊点。
(5) 引起电容器引线腐蚀或断裂的主要原因
① 高温度环境中电场作用下产生电化学腐蚀;
② 电解液沿引线渗漏,使引线遭受化学腐蚀;
③ 引线在电容器制造过程中受到机械损伤;
④ 引线的机械强度不够。
(6) 引起电容器绝缘子破裂的主要原因
① 机械损伤;
② 玻璃粉绝缘子烧结过程中残留热力过大;
③ 焊接温度过高或受热不均匀。
(7) 引起绝缘子表面飞弧的主要原因
① 绝缘了表面受潮,使表面绝缘电阻下降;
② 绝缘了设计不合理
③ 绝缘了选用不当
④ 环境气压过低。
电容器击穿、开路、引线断裂、绝缘了破裂等使电容器完全失去工作能力的失效属致命性失效,其余一些失效会使电容不能满足使用要求,并逐渐向致命失效过渡;
电容器在工作应力与环境应力综合作用下,工作一段时间后,会分别或同时产生某些失效模式。同一失效模式有多种失效机理,同一失效机理又可产生多种失效模式。失效模式与失效机理之间的关系不是一一对应的。
2、电容器失效机理分析
(1)、潮湿对电参数恶化的影响
空气中湿度过高时,水膜凝聚在电容器外壳表面,可使电容器的表面绝缘电阻下降。此处,对于半密封结构电容器来说,水分还可渗透到电容器介质内部,使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此,高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善,但是水分子电解的后果是无法根除的。例如:电容器工作于高温条件下,水分子在电场作用下电解为氢离子(H+)和氢氧根离子(OH-),引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿,也不可能引线复原。
(2)、银离子迁移的后果
无机介质电容器多半采用银电极,半密封电容器在高温条件下工作时,渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应,银离子与氢氧根离子结合生成氢氧化银。在阴极产生还原反应、氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应,阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒,靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面,银离子还能扩散到无机介质内部,引起漏电流增大,严重时可使两个银电极之间完全短路,导致电容器击穿。
银离子迁移可严重破坏正电极表面银层,引线焊点与电极表面银层之间,间隔着具有半导体性质的氧化银,使无机介质电容器的等效串联电阻增大,金属部分损耗增加,电容器的损耗角正切值显著上升。
由于正电极有效面积减小,电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时,两电极间搭起树枝状的银桥,使电容器的绝缘电阻大幅度下降。
综上所述,银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化,而且可能引起介质击穿场强下降,最后导致电容器击穿。
值得一提的是:银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多,原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。银电极与陶瓷介质一次烧也过程中,银参与了陶瓷介质表面的固相反应,渗入了瓷-银接触处形成界面层。如果陶瓷介质不够致密,则水分渗入后,银离子迁移不仅可以在陶瓷介质表面发生,还可能穿透陶瓷介质层。多层叠片结构的缝隙较多,电极位置不易精确,介质表面的留边量小,叠片层两端涂覆外电极时银浆渗入缝隙,降低了介质表面的绝缘电阻,并使电极之间的路径缩短,银离子迁移时容易产生短路现象。
(3)、高湿度条件下陶瓷电容器击穿机理
半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时,发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种。早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷,这些缺陷导致陶瓷介质电强度显著降低,以致于在高湿度环境中电场作用下,电容器在耐压试验过程中或工作初期,就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移,陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物,使漏电流局部增大,可引起热击穿,使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介电容器中,因为击穿时局部发热厉害,较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。
    此外,以二氧化钛为主的陶瓷介质中,负荷条件下还可能产生二氧化钛的还原反应,使钛离子由四价变为三价。陶瓷介质的老化显著降低了电容器的介电强度,可能引起电容器击穿。因此,这种陶瓷电容器的电解击穿现象比不含二氧化钛的陶瓷介质电容器更加严重。
银离子迁移使电容器极间边缘电场发生严重畸变,又因高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜,使电容边缘表面电晕放电电压显著下降,工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。主要就是边缘表面极间飞弧击穿,原因是介质留边量较小,在潮湿环境中工作时银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘电阻显著下降,引起电晕放电,最终导致击穿。高湿度环境中尤其严重。由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间,所以在耐压试验初期,失效模式以介质击穿为主,直到试验500h以后,主要失效模式才过渡为边缘表面极间飞弧击穿。
(4)、高频精密电容器的低电平失效机理
云母是一种较理想的电容器介质材料,具有很高的绝缘性能,耐高温,介质损耗小,厚度可薄达25微米。云母电容器的主要优点是损耗小,频率稳定性好、分布电感小、绝缘电阻大,特别适合在高频通信电路中用做精密电容器。但是,云母资源有限,难于推广使用。近数十年内,有机薄膜电容器获得迅速发展,其中聚苯乙烯薄膜电容器具有损耗小、绝缘电阻大、稳定性好、介质强度高等优点。精密聚苯乙烯电容器可代替云母电容器用于高频电路。需要说明的是:应用于高频电路中的精密聚苯乙烯电容器,一般采用金属箔极板,以提高绝缘电阻与降低损耗。
   电容器的低电平失效是20世纪60年代以来出现的新问题。低电平失效是指电容器在低电压工作条件下出现的电容器开路或容量下降超差等失效现象。60年代以来半导体器件广泛应用,半导体电路电压比电子管电路低得多,使电容器的实际工作电压在某些电路中仅为几毫伏,引起电容器低电平失效,具体表现是电容器完全丧失电容量或部分丧失电容量。对于低电平冲击,使电容器的电容量恢复正常。
产生低电平失效的原因主要在于电容器引出线与电容器极板接触不良,接触电阻增大,造成电容器完全开路或电容量幅度下降。
精密聚苯乙烯薄膜电容器一般采用铝箔作为极板,铜引出线与铝箔极板点焊在一起。铝箔在空气中极易氧化;极板表面生成一层氧化铝半导体薄膜,在低电平条件下氧化膜层上的电压不足以把它击穿,因而铝箔间形成的间隙电容量的串联等效容量,间隙电容量愈小,串联等效容量也愈小。因此,低电平容量取决于极板表面氧化铝层的厚薄,氧化铝层愈厚,低电平条件下电容器的电容量愈小。此外,电容器在交流电路中工作时,其有效电容量会因接触电阻过大而下降,接触电阻很大时有效电容量可减小到开路的程度。即使极板一引线间不存在导电不良的间隔层,也会产生这种后果。
引起精密聚苯乙烯电容器低电平失效的具体因素归纳如下:
① 引线表面氧化或沾层太薄,以致焊接不牢;
② 引线与铝箔点焊接不良,没有消除铝箔表面点焊处的氧化铝膜层;
③ 单引线结构的焊点数过少,使出现低电平失效的概率增大;
④ 粗引线根部打扁部分接触面积虽然较大,但点焊后焊点处应力也较大,热处理或温循过程中,可能损伤接触部位,恶化接触情况;
⑤ 潮气进入电容器芯子,氧化腐蚀焊点,使接触电阻增大。
引起云母电容器低电平失效的具体因素归纳如下:
① 银电极和引出铜箔之间以及铜箔和引线卡之间存在一层很薄的地腊薄膜。低电平条件下,外加电压不足以击穿这层绝缘膜,产生间隙电容,并使接触电阻增大;
② 银电极和铜箔受到有害气体侵蚀,使接触电阻增大。在潮湿的硫气环境中银和铜容易硫化,使极板与引线间的接触电阻上升。
(5)、金属化纸介电容失效机理
       金属化纸介电容器的极板是真空蒸发在电容器纸表面的金属膜
A、电参数恶化失效
“自愈”是金属化电容器的一个独特优点,但自愈过程颇为复杂,自愈虽能避免电容器立即因介质短路而击穿,但自愈部位肯定会出现金属微粒迁移与介质材料受热裂解的现象。电容器纸由纤维组成,纤维素是碳水化合物类的高分子物质。在高温下电容器纤维素解成游离状态的碳原子或碳离子,使自愈部位表面导电能力增加,导致电容器电阻下降、损耗增大与电容减小。严重时可使电容器因电参数恶化程度超过技术条件许可范围而失效。
金属化纸介电容器在低于额定工作电压的条件下工作时,自愈能量不足,电容器纸中存在的导电杂质在电场作用于下形成低阻通路,也可导致电容器绝缘电阻降低和损耗增大。
电容器纸是多孔性的极性有机介质材料,极易吸收潮气。电容器芯子虽浸渍处理,但如果工艺不当或浸渍不纯,或在电场作用下工作相当时间后产生浸渍老化现象,则电容器的绝缘电阻将因此降低,损耗也将因此增大。
电容量超差失效产金属化纸介电容器的一种失效形式。在高温条件下储存时金属化纸介电容器可能因电容量增加过多而失效,在高温条件下加电压工作时又可能因电容量减少过多而失效。高温储存时半密封型金属化纸介电容器免不了吸潮,水是强极性物质,其介电常数接近浸渍电容器介电常数的20倍。因此,少量潮气侵入电容器芯子,也会引起电容量显著增大。烘烤去湿后电容呈会有所下降。如果电容器在高温环境中工作,则水分和电场的共同作用会使金属膜电极产生电解性腐蚀,使极板有效面积减小与极板电阻增大,导致电容量大幅度下降。如果引线与金属膜层接触部位产生腐蚀,则接触电阻增大,电容器的有效电容量将更进一步减小。个别电容器的电容量可降到接近于开路的程度。
B、引线断裂失效
金属化纸介电容器在高湿环境中工作时,电容器正端引线根部会遭到严重腐蚀,这种电解性腐蚀导致引线机械强度降低,严重时可造成引线断裂失效。
(6)、铝电解电容器的失效机理
铝电解电容器正极是高纯铝,电介质是在金属表面形成的三氧化二铝膜,负极是黏稠状的电解液,工作时相当一个电解槽。铝电解电容器常见失效模式有:漏液、爆炸、开路、击穿、电参数恶化等,有关失效机理分析如下。
A、漏液
铝电解电容器的工作电解液泄漏是一个严重问题。工作电解液略呈现酸性,漏出的工作电解液严重污染和腐蚀电容器周围的其他元器件和印刷电路板。同时电解电容器内部,由于漏液而使工作电解液逐渐干涸,丧失修补阳极氧化膜介质的能力,导致电容器击穿或电参数恶化而失效。
产生漏液的原因很多,主要是铝电解电容器密封不佳。采用铝负极箔夹在外壳边与封口板之间的封口结构时很容易在壳边渗漏电解液。采用橡胶塞密封的电容器,也可能因橡胶老化、龟裂而引起漏液。此外,机械密封工艺有问题的产品也容易漏液。总之,漏液与密封结构、密封材料与密封工艺有密切的关系。
B、爆炸
铝电解电容器在工作电压中交流成分过大,或氧化膜介质有较多缺陷,或存在氯根、硫酸根之类有害的阴离子,以致漏电流较大时电解作用产生气体的速率较快,大部分气体用于修补阳极氧化膜,少部分氧气储存在电容器壳内。工作时间愈长,漏电流愈大,壳内气体愈多,温度愈高。电容器金属壳内外的气压差值将随工作电压和工作时间的增加而增大。如果产品密封不佳,则将造成漏液;如果密封良好,又没有任何防爆措施,则气压增大到一定程度就会引起电容器爆炸。高压大容量电容器的漏电流较大,爆炸可能性更大。目前,已普遍采用防爆外壳结构,在金属外壳上部增加一道褶缝,气压高时将褶缝顶开,增大壳内容积,从而降低气压,减少爆炸危险。
C、开路
铝电解电容器在高温或潮热环境中长期工作时可能出现开路失效,其原因在于阳极引出箔片遭受电化学腐蚀而断裂。对于高压大容量电容器,这种失效模式较多。此外,阳极引出箔片和阳极箔铆接后,未经充分平,则接触不良会使电容器出现间歇开路。
铝电解电容器内采用以DMF(二甲基酰胺)为溶剂的工作电解液时,DMF溶液是氧化剂,在高温下氧化能力更强。工作一段时间后可能因阳极引出箔片与焊片的铆接部位生成氧化膜而引起电容器开路。如果采用超声波焊接机把引出箔片与焊点在一起,可则减少这类失效现象。
D、击穿
铝电解电容器击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂,导致电解液直接与阳极接触而造成的。氧化铝膜可能因各种材料,工艺或环境条件方面的原因而受到局部损伤。在外加电场的作用下工作电解液提供的氧离子可在损伤部位重新形成氧化膜,使阳极氧化膜得以填平修复。但是如果在损伤部位存在杂质离子或其他缺陷,使填平修复工作无法完善,则在阳极氧化膜上会留下微孔,甚至可能成为穿透孔,使铝电解电容器击穿。
此外,随着使用和储存时间的增长,电解液中溶剂逐渐消耗和挥发,使溶液酸值上升,在储存过程中对氧化膜层发生腐蚀作用。同时,由于电解液老化与干涸,在电场作用下已无法提供氧离子修补氧化膜,从而丧失了自愈作用,氧化膜一经损坏就会导致电容器击穿。工艺缺陷也是铝电解电容器击穿的一个主要原因。如果赋能过程中形成的阳极氧化膜不够致密与牢固,在后续的裁片、铆接工艺中又使氧化膜受到严重损伤。这种阳极氧化膜难以在最后的老炼工序中修补完善,以致电容器使用过程中,漏电流很大,局部自愈已挽救不了最终击穿的命运。又如铆接工艺不佳时,引出箔条上的毛剌严重剌伤氧化膜,刺伤部位漏电流很大,局部过热使电容器产生热击穿。
E、电参数恶化
A、电容量下降与损耗增大
铝电解电容器的电容量在工作早期缓慢下降,这是由于负荷过程中工作电解液不断修补并增厚阳极氧化膜所致。铝电解电容器在使用后期,由于电解液耗损较多、溶液变稠,电阻率因黏度增大而上升,使工作电解质的等效串联电阻增大,导致电容器损耗明显增大。同时,黏度增大的电解液难于充分接触经腐蚀处理的凹凸不平铝箔表面上的氧化膜层,这样就使铝电解电容器的极板有效面积减小,引起电容量急剧下降。这也是电容器使用寿命临近结束的表现。
此外,如果工作电解液在低温下黏度增大过多,也会造成损耗增大与电容量急剧下降的后果。硼酸一乙二醇系统工作电解液的低温性能不佳,黏度过大导致等效串联电阻激增,使损耗变大和有效电容量骤减,从而引起铝电解电容器在严寒环境中使用时失效。
B、漏电流增加
漏电流增加往往导致铝电解电容器失效。赋能工艺水平低,所形成的氧化膜不够致密与牢固,开片工艺落后,氧化膜损伤与沾污严重,工作电解液配方不佳,原材料纯度不高,电解液的化学性质与电化学性质难以长期稳定,铝箔纯度不高,杂质含量多……这些因素均可能造成漏电流超差失效。
铝电解电容器中氯离子沾污严重,漏电流导致沾污部位氧化膜分解,造成穿孔,促使电流进一步增大。此外,铝箔的杂质含量较高,一般铁杂质颗粒的尺寸大于阳极氧化膜的厚度,使电流易于传导。铜与硅杂质的存在影响铝氧化物向晶态结构转变。铜和铝还可在电解质内组成微电池,使铝箔遭到腐蚀破坏。总之,铝箔中金属杂质的存在,会使铝电解电容器漏电流增大,从而缩短电容器的寿命。
3、提高电容器可靠性的措施
对材料、结构和制造工艺进行改进说明。
1、电极材料的改进
陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极,而改用镍电极,在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好,电迁移率低,提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。
国产云母电容器的电极材料也是银,同样存在银离子迁移现象。日本海缆通信系统中用的云母器,它的电极材料及电极引线间的连接均采用金,这就保证了云母电容器优良的性能和高可靠性。
镀金云母电容器与镀银云母电容器相比较:电容温度系数,前者约为后者的1/2,且偏差也小;湿度对容量的影响,前者比后者小一个数量级,且是可逆的;损耗角正切值,前者比后者小个数量级;在电压负荷下电容量相对变化率,前者约为后者的1/5~1/10。据推算,镀金云母电容器工作20年的电容量变化率≤±0.1%。
改进电极材料的另一个例子是金属化纸介电容器。金属化纸介电容器都采用锌蒸发在电容器纸上形成的金属层作为电极。锌膜在空气中易氧化,生成半导体性质的氧化锌,而且会继续向底层氧化,造成板极电阻的增加和电容器损耗的增大。此外,锌金属化膜在潮湿环境下易腐蚀。锌金属化膜的另一个缺点是自愈所需要的能量较大,而且电容器经击穿自愈后其绝缘电阻值较低。为了提高金属化纸介电容器的性能和可靠性,已用铝金属化层来代替锌金属化层。大气中在铝膜的表面会生成一层薄而坚固的氧化氯膜。使铝膜不再继续氧化。同时氧化氯膜对潮气抗腐蚀性能好。另外铝金属化层自愈性能好,铝电极可以在介质上残存的微量潮气和低电压作用下产生电化学反应,生成氧化铝介质膜,经过一段时间,电容器的绝缘电阻得到恢复。此外,铝的比电导较锌大,这就减小了板极电阻和电容器的损耗。因此,铝在金属化电容器的生产中取代锌做电极改善了电容器的性能,提高了电容器的可靠性。
2、工作电解质的改进
铝电解电容器工作电解质为硼酸一乙醇系统,其工作温度范围为+85~—40℃。在低温下,由于乙二醇中的羟基彼此以氢键联合,出现聚合物,以致工作电解液变稠冻结,电阻率急剧增大,电容量下降和损耗角正切值增大,使电容器的性能恶化。近来普遍采用的以DMF为溶剂的工作电解液,在较宽的温度范围内(-55~+85℃)电性能优良。
为了解决液体钽电解电容器漏液问题,除了在密封结构上采取措施外,采用凝胶状电解质,因为凝胶状电解质黏度大,不容易从微小的缝隙中漏出。
3、电介质材料的改进
电介质材料是决定电容器性能和可靠性的关键材料。以往生产的聚苯乙烯电容器,其电介质是采用厚度为20μm的聚苯乙烯单层薄膜,由于薄膜的厚度不均、有针孔、有导电杂质和微粒先进原因,制成的电容器就存在着某些陷患,在外部各种环境和电应力作用下,这些缺陷就会逐渐暴露出来,导致电容器的击穿、开路或电参数超差失效。为了提高和产品的性能和可靠性。电容器的电介质由原来单层20μm厚薄膜改进为双层10μm薄膜这样电介质的厚度仍为20μm,电容器的体积不变,但产品的质量却提高了。因为双层薄膜可以互相掩盖薄膜中的缺陷和疵点,这就使得电容器的耐压和可靠性得到了提高。
又如,以银做电极的独石低频瓷介电容器,由于银电极和瓷料在900℃下一次烧成时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质,存在较大的气孔率;此外银电极常用的助熔剂氧化钡会渗透到瓷体内部,在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力,使电极及介质内部出现热扩散现象,即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中去后,大大减薄了介质的有效厚度,引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性,改用了银—钯电极代替通常含有的氧化钡电极,并且在资料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象,能促使瓷料烧结致密化。使得产品的性能和可靠性有较大提高,与原工艺和介质材料相比较,电容器的可靠性提高了1~2个数量级。
4、结构的改进
上面已论述了聚苯乙烯电容器的低电平失效。导致低电平不时通时不通的原因是其引线和板有焊接不好而引起的。原来的引线结构是用较粗的单引线,与铝箔厚度比较尺寸相差悬殊,因此点焊质量不高。后改用细引线,并将冲压加工改进为辗轧加工。这样即可减少加式过程中产生毛刺,点焊质量也高。此外,经过分析研究,从单引线结构较细的Φ0.2mm打扁引线,在卷芯的芯轴孔中间位置插入Φ0.8mm的绝缘线,两端插入预先打有凹槽的Φ0.8mm浸锡引线作为加固引线,经热处理聚合固定。用双引线结构后,聚苯乙烯电容器低电平失效的概率由万分之五减少到四百万分之一。
细双引线加固引线结构的电容器,由于附加了较粗的Φ0.8mm外部连接加固引线,并且在插入芯子内的一端上有一个凹槽,保证了引线的稳固性,所以提高了电容器外部连接的强度,能耐振,不易折断。同时,在两根加固引线间有一段相同直径的绝缘线,这不仅可以防止两极间可能发生的偶然击穿,而且还能使电容器聚合后变形小,使芯子内介质薄膜的应力均匀,这就改善了电容量的稳定性。
长期以来,铝电解电容器的爆炸是令人生畏的,CV乘积大的电容器爆炸的可能性更大,而且破坏性也大。为了提高铝电解电容器的可靠性,提高整机的可靠性和安全性,国内已经度制了有防爆结构的铝电解电容器。当电容器内部气压加到一定程度时,防爆阀释放气体而防止爆炸。
5、工艺方面的改进
为了提高铝电解电容器的性能和寿命,就必须获得性能优良、结构致密、缺陷少和耐酸碱腐蚀的电介质氧化氯薄膜。传统的铝电解电容器赋能工艺是采用硼酸一乙二醇系统赋能液,虽然赋能后获得的氧化膜介电性能良好,但其氧化膜抗水合能力和耐酸碱腐蚀性能较差,因而铝电解电容器的性能和可靠性都差。采用已二酸形成工艺,由于已二酸在电解液中是水的表面活性物质,其羰基具有较强的电负性,极易吸附到阳极箔上,阻止阳极氧化时的晶胞生长,迫使放电离子产生新的晶核,生成致密的氧化膜。氧化膜的疵点、空洞、裂纹和缝隙都较少,无论是在常温还是在高温条件下,产品的漏电流都比较小,延长了产品的平均寿命,提高了可靠性。
为了解决云母电容器低电平失效,即解决引出线和电极接触不良问题,将原来用铜箔接触的引出线改为焊接工艺引出,能基本消除低电平不通的失效模式。电极和引线之间的焊接方法有两种:全焊接法和点焊法。全焊接法是指云母片上银电极和引出线之间,引出线和引线卡子之间全部、焊接起来。方法是把引出线铜箔改为热浸铜箔,芯组装配方法和原来一样。芯组打好卡子之后,通过施加温度和压力,一道工序把电极银层和引出线之间、引出线和引出卡子之间,全部焊接起来。
美国生产高可靠云母电容器采用点焊法。即云母片上电极和引出线连接采用点焊,点焊后用10~20倍的放大镜一片一片地对焊接质量进行检查。
改进工艺提高产品可靠性的另一个例子是独石陶瓷电容器的包封工艺。以酒精为溶剂的环氧树脂浸渍包封产品来说,由于包装的多孔性,受潮聚积水分为银离子的迁移提供了条件,造成产品短时间内大量失效。为了提高独石陶瓷电容器的防潮性能,改用先涂覆GN521硅凝胶做底漆,再包封环氧树脂的工艺。长期潮热负荷试验结果表明,这种包装工艺有很好的防潮性能,产品的可靠性有明显的提高。
摘录《可靠性物理》姚立真:“第10章 阻容元件的失效模式和失效机理”。
作者: hclin    时间: 2017-8-19 23:23
好文章,感谢分享。




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