推荐一种新型内存扩充方案：串行PSRAM -

标题: 推荐一种新型内存扩充方案：串行PSRAM [打印本页]

作者: SQPI_PSRAM 时间: 2016-12-6 09:30
标题: 推荐一种新型内存扩充方案：串行PSRAM
再FPGA设计系统时，大部分人会选择SRAM、SDRAM、甚至DDR. 这些选择，要么价格比较高，要么需要很多I/O资源

这里介绍一种串行PSRAM方案
PSRAM是一种pseudo SRAM，具有SRAM的接口，DRAM的内核（1T1C），因此，它具有DRAM这样的成本/bit优势、SRAM的简单易用的特点。
有3种串行接口、3种不同的数据速率可以选择：
SPI，时钟最高104MHz，数据最高速率为104Mbps
QPI：时钟最高104MHz，数据最高速率为416Mbps
OPI: 时钟最高200MHz，支持DDR，数据最高速率为3200Mbps或者400MB/s

如果你不需要Android，运营一个RTOS，这种存储方案最理想。由于是串行结构，它需要的管脚资源也比较少，OPI 13脚，SPI4个信号脚。在需要小型化、流媒体处理、信号处理、数据缓存等场合受到广泛应用，比如智能语音交互、人机自然语音对话、通信数据处理等。欢迎交流 sqpi_psram@153.com

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