标题: Nmos做5v开关的方法 [打印本页]

作者: whsbk    时间: 2017-2-23 17:15
标题: Nmos做5v开关的方法
本帖最后由 whsbk 于 2017-2-23 17:22 编辑

图中使用nmos做5V电路的开关,画图软件不支持mos管就只画了G极,实际上是S接地,D极接输入。

当npn三极管的b极为低电平时CE间断开,G极受下拉电阻R1影响为低电平,此时NMOS断开。
当npn三极管的b极为高电平时CE间导通,G极为高电平,NMOS导通。

现在导通没有问题,但关断时发现nmos没有完全关断,请教下能完全关断的方法。

nmos.jpg (5.44 KB, 下载次数: 104)

nmos.jpg

作者: angmall    时间: 2017-2-23 19:37
D极不是接输入。 栅极 G接输入

单片机驱动mosfet一般都需要隔离的,因为工作电压差别比较大,而且单片机一般是5V以下,很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通
用单片机直接驱动MOSFET,要求逻辑电平驱动MOSFET

NMOS晶体管的工作原理:
  在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可以动空穴)上,制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源),并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极(通常是多晶硅),作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。

源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为2V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流。
有加那个下拉电阻 10K。

图中的管子就是NMOS管了,源极接地,栅极接输入电压,栅压高于源压,电灯接在电源和漏极(或输出)之间,这就是所谓的共源放大器(相当于三极管中的共射放大器)。

tran21.gif (6.05 KB, 下载次数: 124)

tran21.gif

作者: whsbk    时间: 2017-2-24 09:13
angmall 发表于 2017-2-23 19:37
D极不是接输入。 栅极 G接输入

单片机驱动mosfet一般都需要隔离的,因为工作电压差别比较大,而且单片机 ...

输入指电流方向从D到S,G极由npn三极管进行驱动,三极管由单片机控制通断。

当G极高于2V时导通这个没问题,但当三极管断开,G极被100K下拉接地,此时NMOS应该断开的,但实际上并没有完全断开






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