标题: 新唐高速1T 8051单片机系列N76E003，18 KB Flash ROM，可与STM8S003PIN TO PIN使用 [打印本页]
作者: andy003    时间: 2017-11-20 13:36
标题: 新唐高速1T 8051单片机系列N76E003，18 KB Flash ROM，可与STM8S003PIN TO PIN使用

N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。

N76E003 在20 pin封装下提供高达18根I/O脚位；周边包含双串口、SPI、I2C、6通道PWM输出；内建优于同类产品之 < 2% 误差之高精确度16 MHz RC晶振与高分辨率8通道12位ADC；并具备自我唤醒、欠压检测等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 与QFN20 (3mm*3mm) 小封装，兼具高性能与设计弹性。

应用领域 :

门禁系统/警报器、温度传感设备、蓝牙音箱、电动车表头、数字电压表头、气体检测器、采集器、充电器、美容仪器、小家电等。


关键特性 :

  • 内核(core)

- 1T 8051微处理器
- 工作频率可达 16 MHz
- 工作电压: 2.4V 至 5.5V
- 工作温度: -40℃ 至 105℃

  • 内存(memory)

- 18 KB应用程序 Flash
- 内嵌1 KB SRAM
- 可配置的 Data Flash
- 支持在线系统更新：





          • ISP(In-System Programming)
          • ICP(In-Circuit Programming)
          • IAP(In-Application Programming)





  • 脉波宽度调变(PWM)

- 6通道PWM输出
- 带死区产生器


  • 模拟转数字转换器(ADC)

- 12位8通道ADC
- 每秒转换速率可达500 kSPS

  • 通信接口(connectivity)

- 二组UART，可达115200 bps
- 一组SPI，可达8 MHz
- 一组 I2C，可达 400 kHz

  • 时钟控制(clock control)

-内置< 2% 误差16 MHz 高精度RC晶振
-内置低速省电10 kHz RC晶振


下面为N76E003与STM8S003参数对照：

N76E003STM8S003F3
内核8051 （1T）ST自有，哈佛架构，3-stage pipeline
工作电压2.4~5.5V2.95~5.5V
主频16M Hz(1T)16M Hz
APROM Flash(Byte)18K8K
SRAM1k1k
DATA Flash/EEPROM0~18k(与aprom共享) EEPROM 128Byte  
时钟源3种，Oscillator,HIRC,LIRC3种，Crystal,HIRC,LIRC
外部高速晶振
必须有源时钟源（Oscillator）1-16 MHz
外部低速晶振


内部高速时钟
16 MHz ±1% @ 25℃
16 MHz ±2% @ -40~105℃		 16 MHz ±5% @ -40~85℃
内部低速时钟
10 kHz(±50%)128 kHz
定时器3*16-bit + 1*16-bit(for PWM)2*16-bit, 1*8-bit
GPIO17+1 输入口(复位脚）,最多同时1端口8路IO口中断.16，16路硬件IO中断
PWM6Chs*16bit : 一个16bit的定时器用于频率设置，每个通道都可以单独设置占空比3 CHs
ADC8Ch, 12-bit, 400 ksps, 单个模式, 带隙电压需校准*5Ch, 10-bit, 428 kHz/14 clocks，
单个/连续模式
比较器

CRC

UART2 Uart1Uart 1Mbps, 兼容SC,IrDA,LIN
SPI8 Mbit/s8 Mbit/s
I2C400Kbit/s400Kbit/s
掉电模式电流〈 5 uA6 uA
唤醒时间30us54us
EFT(电快速瞬变脉冲群)4.4KV
ESD(静电释放)ESD: HBM/8KV, MM/400V  ESD:HBM/4KV,CDM/1KV
ICE调试接口两线+nReset一线
封装TSSOP20/QFN20TSSOP20/UFQFN20(3*3)







作者: andy003    时间: 2017-11-22 23:13
智能硬件技术交流群647268561
作者: andy003    时间: 2018-12-16 20:54

N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。
N76E003 在20 pin封装下提供高达18根I/O脚位；周边包含双串口、SPI、I2C、6通道PWM输出；内建优于同类产品之 < 2% 误差之高精确度16 MHz RC晶振与高分辨率8通道12位ADC；并具备自我唤醒、欠压检测等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 与QFN20 (3mm*3mm) 小封装，兼具高性能与设计弹性。
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作者: andy003    时间: 2019-9-12 15:23
CMS8S003----主频最高24MHz，内置高性能运放和比较器

1T 增强型8051内核，比80C51快约14倍以上
工作频率：24MHz
两路差分运放
增益：100dB，最高放大十万倍，外置电阻可调增益
带宽：2M，比324大近一倍
全温全压失调电压：+/-4mV，324为+/-9mV
两路比较器
共模输入电压Vcm范围：0V - (VDD-1.5V)
增益：75dB
带宽：120M
响应速度：40ns
共模抑制比：- 80dB@1MHz
电源抑制比：-85dB@1MHz
最多15通道12位ADC，内置1.2V基准电压（全温全压1%精度）
工作电压范围：2.1V - 5.5V
工作温度范围：-40℃ - 105℃
正常工作电流< 2mA@3/5V 8M
指令代码完全兼容8051
支持在线仿真，以及外部供电系统的仿真
内置16KB Flash ROM，擦写次数2万次以上
数据区APROM：1KB
支持IAP/ICP/ISP
通用RAM：256B
通用XRAM：1KB
支持串行调试（SWD）
支持4种振荡方式
内部RC振荡：8MHz/16MHz/24MHz，±2%精度
外部晶体振荡：8MHz/16MHz
外部晶体振荡：32.768KHz
内部低功耗振荡：125KHz，同时作为WDT/WKT的时钟源
最多22个通用GPIO
所有的GPIO均支持推挽输出，开漏输出，上拉电阻，高阻输入模式
所有的I/O均支持外部中断
所有的I/O均支持边沿唤醒休眠状态，边沿可配置
5个16位定时器，timer2具备capture/compare功能
内置WDT定时器
最多支持23个中断源以及2级中断优先级
2个高速UART串口
1个I2C模块，支持主控收发，从动收发模式
1个SPI模块，支持主控收发，从动收发模式
6路16位增强型PWM，支持独立和互补模式，以及可编程死区延时，PWM输出口可多端口映射
内置低压侦测电路：1.9/2.1/2.6/3.5V
硬件复位：上电复位，外部复位，看门狗复位（可配置时间），低压侦测复位（可配置电压）
软件复位：软件方式写复位触发寄存器
蜂鸣器Beeper
UID功能








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