关于mos管开关速度问题

单片机驱动IO口，光耦那3脚上下沿稳定时间基本1ms以内，但是mos管开关波形那上下沿基本40ms左右，图中漏极已经通过接线端子连接上+KM和10K电阻了，请问为啥开关那么慢，如何改善。图中+KM是对地110v/220v

漏极输出下降沿沿2.多ms，上升沿80多ms
是因为你的漏极负载是R9，电阻值大，电压上升自然慢。

改用推挽输出驱动。这种光耦关断很慢的，参考TPL715这种。

80多ms的话那就和驱动电路没关系了，要看看负载的阻抗特性

否则的话使用推挽电路

把光耦与电阻位置对调试看

14楼已经说明原理了，楼主这种驱动只适合做开关时间大于1秒的情况。最简单是5VIO脚直接驱动MOS管可以满足楼主的要求，IO脚到地要接一个5.1V稳压管保护就可以了。

MOS理论上是电压控制器件，但需要高速的时候，则需要很大的驱动电流，因为栅极电容的存在，导通就是需要给电容充电。所以光耦电流太小了，所以速度起不来，最简单的是按照10楼的，用图腾柱驱动。

817光藕驱动电流有限,要加驱动电路才能让MOS管加速导通,要么换MOS,要么加个三极管

漏极220v可以用示波器量么？

这种接法,输出上升是关断,下降才打开
R10换成1K的,或者反接一个二极管试一下
下降不够快的话,加大驱动电压和电流

0孙悟空0 发表于 2021-10-25 16:19
1ms级别就行了，但是实际几十ms

此图控制MOS管开关上下沿可以小于1us。

wulin 发表于 2021-10-25 15:56
楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。

您在看看上面的回复，栅极输入上下沿都是0.2ms符合要求的，但是漏极输出那上升沿80多ms

yzwzfyz 发表于 2021-10-25 15:54
MOS的栅极对地是不导通的，它相当于是电容。
当打通MOS时栅极电压为高，是由光藕提供的，很快电压就上去了 ...

大佬，不是这个问题，我门极即栅极输入那测波形，上下沿就是0.4ms内完成，但是，漏极输出下降沿沿2.多ms，上升沿80多ms

wulin 发表于 2021-10-25 15:56
楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。

1ms级别就行了，但是实际几十ms

0孙悟空0 发表于 2021-10-25 15:13
看了数据手册了，上面写的开关时间都是几百ns

查了下你管子的datasheet，里面有Qgs、Qg的参数，你仔细想想用你现在这点电流把电荷搬来搬去需要多少时间吧。

楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。

MOS的栅极对地是不导通的，它相当于是电容。
当打通MOS时栅极电压为高，是由光藕提供的，很快电压就上去了（充电电阻很小）。
当关闭MOS时，栅极电容的放电只能通过R10，这个电阻是10K，放电当然就慢了。放电慢，栅极电压下降就慢，速度就上不去了。
改善的方法是，关断是，让放电回路电阻变小！！
明白道理后，改进不困难。

Hephaestus 发表于 2021-10-25 15:01
查datasheet里面Cgs有多大你就知道为什么那么慢了。

看了数据手册了，上面写的开关时间都是几百ns

查datasheet里面Cgs有多大你就知道为什么那么慢了。