STC8芯片的EEPROM只能写入读取擦除 重写擦除一正片扇区 有没有写好的函数用

STC8芯片的EEPROM只能写入读取擦除 重写擦除一正片扇区 有没有写好的函数用（先写到另一扇区 再擦除原先扇区 再把要修改的修改完再写回原来的扇区 再把另一扇区擦除）

这种操作不科学，一是会缩短FLASH寿命，二是增加了整个操作的时长，三是数据会有一定的风险。

电控mmbd 发表于 2023-11-21 16:28
这种操作不科学，一是会缩短FLASH寿命，二是增加了整个操作的时长，三是数据会有一定的风险。

确实，没必要这么搞。如果要存的数据比较短，就几十字节的话，可以循环存在一块空间里面，上电找最后存的记录就可以，存满了再擦除，写条新的记录就

官方说能写10W次。一天10次，能写1W天，近30年。够了吗？

这样搞三角恋不好吧。

将某扇区数据读到缓存，修改相关数据后，擦除原扇区，再将修改后的数据写入原扇区。

wulin 发表于 2023-11-21 21:34
将某扇区数据读到缓存，修改相关数据后，擦除原扇区，再将修改后的数据写入原扇区。

缓存不够用了。。

123156fsadf 发表于 2023-11-21 16:41
确实，没必要这么搞。如果要存的数据比较短，就几十字节的话，可以循环存在一块空间里面，上电找最后存的 ...

我也不确定存多少 但好像需要存1k左右字节

电控mmbd 发表于 2023-11-21 16:28
这种操作不科学，一是会缩短FLASH寿命，二是增加了整个操作的时长，三是数据会有一定的风险。

使用 do{ ... } while();写进去再读出来比较以保证数据正确写入，电压过低不要对EEPROM执行写、擦除可能会失败。

楼主好，可参考他们官方STC-ISP（6.92G）上的范例程序


做以下修改


这个是单字节的写入和扇区的擦除，可以直接一个for把一个扇区的字节都挪到另一个扇区，在擦除这个扇区就好了
如果还有疑问可去他们STCAI官方咨询

感觉更麻烦，没有优势。

STC新未来 发表于 2023-11-22 14:53
楼主好，可参考他们官方STC-ISP（6.92G）上的范例程序

好 谢谢

不常改动的可以用，经常修改的数据，还是用片外的存储器吧。

参考以下蓝桥杯的源码，里面有写好的底层函数