门极(2脚)是3.3V, 漏极的电压被下拉会逐渐将Us电压下拉直到达到导通条件, VGS 超过阀值, 导通的情况是Ug>Us. |
angmall 发表于 2017-12-18 00:18 MOS-FET 管的漏极(1脚)基底二极管“低电压”部分被下拉直到VGS 超过阀值,MOS-FET 管开始导通。 这一句不太理解,漏极的电压被下拉会逐渐将Us电压下拉直到达到导通条件? |
在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态: 1 没有器件下拉总线线路。“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻R3 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的门极(2脚)和源极(3脚)都是3.3V, 所以它的VGS 低于阀值电压,MOS-FET 管不导通。这就允许“高电压”部分的总线线路通过它的上拉电阻R1 拉到5V。 此时两部分的总线线路都是高电平,只是电压电平不同。 2 一个3.3V 器件下拉总线线路到低电平。MOS-FET 管的源极(3脚)也变成低电平,而门极(2脚)是3.3V。 VGS上升高于阀值,MOS-FET 管开始导通。然后“高电压”部分的总线线路通过导通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低电平。此时,两部分的总线线路都是低电平,而且电压电平相同。 3 一个5V 的器件下拉总线线路到低电平。MOS-FET 管的漏极(1脚)基底二极管“低电压”部分被下拉直到VGS 超过阀值,MOS-FET 管开始导通。“低电压”部分的总线线路通过导通的MOS-FET 管被5V 的器件进一步下拉到低电平。此时,两部分的总线线路都是低电平,而且电压电平相同。 这三种状态显示了逻辑电平在总线系统的两个方向上传输,与驱动的部分无关。状态1 执行了电平转换功能。状态2 和3 按照I2C 总线规范的要求在两部分的总线线路之间实现“线与”的功能。 |