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分享一下关于GD32F205RCT6单片机外扩SRAM的想法！

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英尚微电子

发布时间: 2018-9-18 15:53

正文摘要:

GD32F205RCT6是基于Cortex M3内核32bit(位)通用型MUC产品，主频为120MHz, 片内闪存(Flash) 最大为256KB, RAM最大为128KB, 供电电压范围为2.6V-3.6V,内核的供 ...

ID:273087 发表于 2018-11-21 16:58

大部分设计人员会考虑外扩SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在读写限制的问题，确实是考虑外扩内存的首选，但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚，给MCU无形中带来了更多功能性的限制，并且也并非大部分的MCU可以支持，如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源，相对来说更好，串行SRAM只需要八个管脚，SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积，

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