这到底是有多难的电路呢?
你对着我这电路接就可以了,两个电路都是我实际测量使用过的,电阻不能少因为是MOS管,有时候会误导通的.
这样的电路也一样的会产生压降,不同的MOS管压降也不同,但还是要比三极管小很多的,只要不是很精密的电路的话,实用性还是很强的,压降一般是在:0.02V-0.06V左右,1A的电流.

非常感谢大家的回复。我得面包板来挨个测试一下。谢谢大家

推荐个简单实用的电路,单片机IO口设置成内上拉,高电平时Q1导通,继而Q2导通,负载RL得电.VDD可以取与单片机电源共地的任意电压,当然前提是不能超过元件的极限参数.电压取得高,适当加大R1阻值.

bigfou 发表于 2019-1-23 23:09
因为系统启动时 默认就是低电平，只要外围设备默认就通电了。我想启动默认外设不通电。

那你用一个NMOS控制一个PMOS不就行了 NMOS是高有效 PMOS是低有效

所谓的压降到底有多大,一般饱和时CE压降很小的..
CE压降大会不会是因为B极电流过小而C极负载较大而跑到了放大区了?
用万用表测下B极电阻上降了多少电压,就能大概算出B极电流.如果IO口是内上拉,驱动NPN管一般不需要B极限流电阻,内部上拉电阻已经可以起这个作用了.

NMOS控制正极 PMOS控制负极  三极管深度饱和 电流不大的场景  压降也可以忽略不计

用锗pnp管吧

换成PMOS管，不需要加其他电路；换成NMOS，需要加电荷泵电路

wulin 发表于 2019-1-23 20:51
采用P沟道场效应管低电平触发作电源开关比较适合。

因为系统启动时 默认就是低电平，只要外围设备默认就通电了。我想启动默认外设不通电。

bigfou 发表于 2019-1-23 20:05
非常感谢您的回复。我去了解了一下，我这个场景需要用N沟道场效应管。我选了SI2300 这个，是不是只要图那 ...

采用P沟道场效应管低电平触发作电源开关比较适合。

换成场效应管，压降可以忽略不计