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单片机怎么驱动MOS?

查看数: 8172 | 评论数: 13 | 收藏 1
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发布时间: 2020-1-21 23:34

正文摘要:

用的51,低电平有效,光耦是用PC817,MOS驱动电压必须在12V。这个图有问题吗?

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ID:294296 发表于 2020-1-30 02:34
之前用STM32做直流无刷电机驱动用的,弄个局部图给你参考参考!

51hei浏览器截图.png (174.41 KB, 下载次数: 75)

51hei浏览器截图.png
ID:159575 发表于 2020-1-27 18:54
楼上的咋想的?这个是图腾驱动啊,楼主的电路没有大问题,检查一下元件吧。
ID:641556 发表于 2020-1-27 00:08
直接用个栅极驱动的片子不可以吗?
ID:188748 发表于 2020-1-26 12:46
推挽电路驱动mos管让mos管放电更快,,可以啊,挺好,不过也可以简单驱动
ID:149451 发表于 2020-1-26 11:10
没看出来Q3如何导通的。你仿真看看,能行吗?
ID:342822 发表于 2020-1-24 17:04
呵呵~~图腾柱驱动没问题阿!
ID:420836 发表于 2020-1-24 12:30
电路有问题。 光耦合器的输出一侧没有接地,它是浮地。 不需要推挽驱动器,移除Q3,但使用Q2并将Q2的基极连接到光电耦合器的引脚4。 在Q2的集电极上添加一个1k欧姆的电阻,并将R1连接到Q2的集电极。 Q2发射极接地。
当光耦合器输出时,Q2截止,Q1导通,LED点亮。
当光耦合器断开时,Q2导通,然后Q1断开并且LED熄灭。
ID:688049 发表于 2020-1-24 09:36
为何要推挽输出?浪费了!
场效应具有很高的输入阻抗的,光耦直接带就可以了,
具体是:光耦发射极接地,集电级接R3可10K,直接接场效应管控制级,控制级要有接地电阻R2可100K,场效应后面不变!省掉两个三极管和一个电阻!
ID:207421 发表于 2020-1-22 15:40
1. R4值太小
2. Q2,Q3互换一下位置
3. Q1控制极最好加稳压管,R1最好并联0.1UF以下的电容,要根据控制频率选择
4. R3值不合适,Q2,Q3基极不能悬空
ID:213173 发表于 2020-1-22 09:52
1.用于低频开关电路不需要采用图腾柱驱动,高频开关高于10MHz采用图腾柱驱动才有意义。
2.现在低阈值 MOS管多的很,VGS3~4V就能饱和导通,单片机IO口直接驱动毫无问题。
ID:235200 发表于 2020-1-22 09:31
Q2  Q3用一个作开关管就可以了,开关管的基极接光耦第4脚,光耦第3脚接地
ID:258566 发表于 2020-1-22 09:30
当然有问题,Q3偏置,R4
ID:332444 发表于 2020-1-22 08:38
这样的电路多余一些元件浪费钱又没虾米作用且没提高虾米性能用途,假设栅极电压是10伏特的管则参数不合理

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