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NMOS管的导通电压测试问题

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发布时间: 2020-5-14 13:28

正文摘要:

这是一个NMOS管的资料,在测试的VGS(th)的时候,这个VDS的电压应该用多少V的? 测试条件上面只写了:ID=250uA, VDS=VGS, 也没标明VDS用多少V电压。 还望各位高手可以指教一下,非常感谢了。

回复

ID:213173 发表于 2020-5-15 10:45
Gate Source Threshold Voltage 栅源阈值电压。图表清楚表明VGS(th) -1.0,ID=250uA, VDS=VGS,VDS当然也是-1.0V。沙发已指出错误,此管是PMOS非NMOS。
ID:153181 发表于 2020-5-15 09:40
首先需要纠正一下,你发的ZXMP4A16G是PMOS;

其实是你说的测试电压问题,手册已经给出电压的范围了,不要超出电压范围就可以

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