cuihaodianzi 发表于 2020-9-22 23:51 R6取消了，抱歉，给大家填麻烦了。主要是头脑一冲动，计算时考虑错了。 |
hebxk311a 发表于 2020-9-15 01:27 用 TC4420 试试吧，比较稳定，也没那么复杂，几块钱一个 电源和设备都是 12 V ，为什么还要限流呢 |
hebxk311a 发表于 2020-9-15 01:27 你的电磁阀是 12V 电源也是 12V ，还控制什么电流 |
| 9#的方案最好。MOS管可以选低开启的MOS功率管 |
xianfajushi 发表于 2020-9-16 16:22 谢谢指点，学习了。 |
| 电路设计有待提升的空间 |
wulin 发表于 2020-9-15 21:34 谢谢。在您的提醒下，仔细想了想，您的意见非常对。 R2原来是想为在没有R9时供PMOS泄压用的，下面增设了R9后，这个R2是没有用了。 R6算错了，今天仔细想了想，P=U^2/R , R=24, 这个应该是它本身的阻抗了，是不应该加R6这么个电阻，加了R6会导致该路电阻增加，电流降低，从而导致功率下降。 最终，取消R2,R6. |
hebxk311a 发表于 2020-9-15 19:40 R2纯属多余，R6的存在可能导致电磁阀功率不足，工作不可靠。 |
hebxk311a 发表于 2020-9-15 18:41 可以用两个1K电阻分压。低速开关，这个电阻大小不必太计较。 |
wulin 发表于 2020-9-15 16:00 收到，有受益。谢谢回复。但是如图连接时，1.8K电阻是否会将12V都在PMOS上了，超过了SI2301的VGS=8V，下面应该加上一个1.8k的分压电阻，这样保证vgs=6v左右。 |
hebxk311a 发表于 2020-9-15 10:31 上面给你的两个图都是高电平驱动，如果你坚持要用低电平驱动可按下图连接。 
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不过光耦的限流电阻似乎大了，流过发光管的电流是否符合光耦要求，还需要查看元件曲线去计算，应该用5-光耦发光管压降/电阻=电流 |
| 修改后基本可以，用光耦驱动比较适合更广的后级元件选择，采用直接驱动得选低压驱动的场效应。至于时间的推算可参考选用元件的频率参数，主用是电磁阀的时间应该比电子元件的远远大。 |
| 我做的只是一个电磁阀开关电路，要求也就是偶尔开一次，但开通和关闭要迅速，低延迟，且开通的时间非常短。 |
wulin 发表于 2020-9-15 07:08 这二个电路在单片机IO口输出低电平时能做到开、高电平关电磁阀么？我感觉有些问题。 |
wulin 发表于 2020-9-15 07:08 谢谢，很有启发。 |
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MOS管是电压驱动型，用作低频开关几乎没有驱动电流。
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| 不过光耦这样接法还不是最优，最优应该用射随器驱动光耦。 |
| 总的说电路考虑的还周到，就是R1、2、3可以省，光耦串联电阻大约在4K左右，这要看你选择在曲线的哪个位置决定电阻的值。P2口通常不需上拉，限流同接到IO合并即可。 |
cuihaodianzi 发表于 2020-9-15 00:52 R6控制电磁阀的电流的，这个应该保留吧。 |
| 这个求助一是要解决单片机控制多个电磁阀的问题，另一个原因就是想学习一下光耦与 MOS管的电路设计问题。 |
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谢谢您的回复。 看了网上的NPN三极管控制继电器的电路的有关介绍，还是有些不明白。找到了这个： https://www.dgzj.com/zhishi/danpianji/94941.html 一、使用单片机的低电平开启电磁阀，可能用P沟道的MOS管更好； 二、单片机与MOS管的直通，输出电流可能驱动不了P MOS吧，需要放大。 |
| 个人认为 R3 R5 R6 都不要，R4 到光耦 第 4 脚 之间串一个 10-100R 电阻 |
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不要光耦合器,不要,不要 一个电阻加一个N沟道的MOS管就可以了,请参考NPN三极管控制继电器的电路 不要把简单事情复杂化 |
组图打开中，请稍候......
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