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MOS降低发热功耗 除了并联 还有其他的方法不?电流是不能变的。并联虽然内阻可以...

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发布时间: 2020-11-23 11:56

正文摘要:

MOS降低发热功耗  除了并联 还有其他的方法不?电流是不能变的。并联虽然内阻可以减小,不过好像会影响同步的开关速度。不同步开关的话MOS可能就烧了

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ID:1079566 发表于 2024-7-8 09:40
并联管子, 主要还是单个管子的允许功耗是有限的,  

多个管子的散热的成本要低于单个管子(总功耗相同的情况下) 单个管子热量如果传导出去,温升会超标.每个封装,它的导热系数,导热面积是有限的.

D2-PAD封装, 热阻大概是40~60度/W.  如果功耗是2W, 单个管子就超标了,2个管子,每个管子功耗就是原来的一半.温升就在使用范围内.
有条件,选择TO-220类的封装,容易另加散热片,减小热阻.当然要看产品允许空间.
降低功耗, 如改变开关频率, 改善开关管开关速度, 实际大部分成熟的电路,改善余度有限. 这也就是实际使用中,普遍使用管子子并联.

ID:420836 发表于 2024-7-8 09:10
选择具有更高电流额定值和更低导电Rds的MOSFET。
ID:879348 发表于 2024-7-8 08:24
只能改善驱动和散热,这个内阻已经很低了
ID:1128407 发表于 2024-7-7 19:20
实现ZVS 零电压关断,是可以减少功耗的
ID:1059013 发表于 2024-7-6 21:03
并联同时要增加驱动芯片
ID:981034 发表于 2021-11-24 17:18
加散热器
ID:309320 发表于 2020-11-24 11:18
试试可不可以搞成同步整流之类的,可以减小损耗,不过导通损耗不会减少
ID:468262 发表于 2020-11-24 10:35
张天师 发表于 2020-11-23 20:14
提升驱动电压和电流,开关频率尽可能降到能接受的范围

开关频率增加才对,用16KHz , 调节占空比控制电流,占空比不能超过80%
ID:814525 发表于 2020-11-23 20:14
提升驱动电压和电流,开关频率尽可能降到能接受的范围
ID:258566 发表于 2020-11-23 18:58
zvs,zcs 电源可以,电机驱动不了解
ID:668004 发表于 2020-11-23 18:15
hcfat51h 发表于 2020-11-23 16:42
还有零电压关断或零电流关断

如何实现
ID:47367 发表于 2020-11-23 17:04
减少开关损耗
ID:47367 发表于 2020-11-23 17:04
增加开关速度可以减少开关损耗
ID:466505 发表于 2020-11-23 16:42
还有零电压关断或零电流关断

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