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哪个坛友对MOS管有较深认识的?平时看规格书忽略了一些参数,今天想全部搞懂。知...

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发布时间: 2020-12-1 15:23

正文摘要:

哪个坛友对MOS管有较深认识的?平时看规格书忽略了一些参数,今天想全部搞懂。知道的,请赐教

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ID:687694 发表于 2020-12-3 22:30
个人对mos管也没有很深的理解,这里就说下个人认知吧,mos管不同于三极管,三极管属于电流放大器件。mos管属于电压控制开关器件,mos管在导通状态时具有导通内阻,一般都是mΩ级别的,有电阻就有功耗,最上面图有几个是反应导通内阻与各种状态下电压电流的关系图,事实上用欧姆定律就可以解析,还有那是Vgs与Id的关系图,表示阈值电压与导通电流,内阻的关系。图中看 6.5V以上是合适的驱动电压。
关于mos管动态特性中,还是要了解一下mos管构造,这里去百度就可以查到,在这里就不细说了,这里就说下结电容,实际驱动mos管,即给G级加上电压的时候 ,由于结电容存在,在一瞬间实际上是对地短路,而后结电容两端电压逐渐上升,直到达到驱动电压,在这个过程中单位时间内输出电荷越多,或者说驱动电路提供的驱动电流越大,电容电压上升的就快,驱动电路输出电流越小,就越慢,在低频中,这并不明显,但在高频电路中这是一个不可忽视的问题,由于驱动电路的驱动功率小,导致mos管并不能可靠导通截止从而造成炸管,尤其是在大功率无刷驱动电路中。这只是充电导通过程,而截止过程也类似,驱动电路输出低电平,此时结电容向驱动电路放电,放电时假设没有限流回路则会瞬间烧毁驱动电路,所以在一般驱动电路中都会串联最少1Ω限流电阻,但由于此电阻存在驱动能耗就会增加,这是个矛盾的问题,这里就不讨论了。同样DS也存在结电容,这个结电容随着导通与截止也存在充放电,恢复时间可认为就是电容放电时间,动态特性就是表述这些特征的。
至于结温与跨导,个人认为不用过多了解,结温通常是环境温度+温升,温升的主要问题在于内阻成正比,内阻又与驱动电路功率成正比,结合上面几个图,不难看出此mos管最好提供8Vgs以上做驱动,驱动功率看你的频率要求。频率越高需要的驱动电路瞬时功率就大。mos管可看作容性负载。如果是简单的灯开关电路,则单片机IO就可直接驱动(假设单片机io电压>6.5v)。如果输出pwm驱动则需要一级三极管电流放大驱动。在mos管组成的各种开关电源电路中,很多效率低下都是不重视mos管动态驱动电路功率造成的。有人愿意深入学习mos管,真是高兴。
还有,结电容越小,越容易驱动,但管子功率越小。这是器件结构造成的。
以上是个人理解,不对之处还请指正。

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ID:414556 发表于 2020-12-1 22:55
第一图在VGS=10时VDS和ID接近线性

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