个人对mos管也没有很深的理解，这里就说下个人认知吧，mos管不同于三极管，三极管属于电流放大器件。mos管属于电压控制开关器件，mos管在导通状态时具有导通内阻，一般都是mΩ级别的，有电阻就有功耗，最上面图有几个是反应导通内阻与各种状态下电压电流的关系图，事实上用欧姆定律就可以解析，还有那是Vgs与Id的关系图，表示阈值电压与导通电流，内阻的关系。图中看 6.5V以上是合适的驱动电压。
关于mos管动态特性中，还是要了解一下mos管构造，这里去百度就可以查到，在这里就不细说了，这里就说下结电容，实际驱动mos管，即给G级加上电压的时候 ，由于结电容存在，在一瞬间实际上是对地短路，而后结电容两端电压逐渐上升，直到达到驱动电压，在这个过程中单位时间内输出电荷越多，或者说驱动电路提供的驱动电流越大，电容电压上升的就快，驱动电路输出电流越小，就越慢，在低频中，这并不明显，但在高频电路中这是一个不可忽视的问题，由于驱动电路的驱动功率小，导致mos管并不能可靠导通截止从而造成炸管，尤其是在大功率无刷驱动电路中。这只是充电导通过程，而截止过程也类似，驱动电路输出低电平，此时结电容向驱动电路放电，放电时假设没有限流回路则会瞬间烧毁驱动电路，所以在一般驱动电路中都会串联最少1Ω限流电阻，但由于此电阻存在驱动能耗就会增加，这是个矛盾的问题，这里就不讨论了。同样DS也存在结电容，这个结电容随着导通与截止也存在充放电，恢复时间可认为就是电容放电时间，动态特性就是表述这些特征的。
至于结温与跨导，个人认为不用过多了解，结温通常是环境温度+温升，温升的主要问题在于内阻成正比，内阻又与驱动电路功率成正比，结合上面几个图，不难看出此mos管最好提供8Vgs以上做驱动，驱动功率看你的频率要求。频率越高需要的驱动电路瞬时功率就大。mos管可看作容性负载。如果是简单的灯开关电路，则单片机IO就可直接驱动（假设单片机io电压>6.5v)。如果输出pwm驱动则需要一级三极管电流放大驱动。在mos管组成的各种开关电源电路中，很多效率低下都是不重视mos管动态驱动电路功率造成的。有人愿意深入学习mos管，真是高兴。
还有，结电容越小，越容易驱动，但管子功率越小。这是器件结构造成的。
以上是个人理解，不对之处还请指正。

第一图在VGS=10时VDS和ID接近线性