学习单片机lq 发表于 2021-1-31 15:26
这次的图应该是正确的了，这就是通常说11串锂电池保护板电路图，没有单片机。CO是充电保护端，DO是放电保 ...

Q3和R22是如何快速关断的呢

学习单片机lq 发表于 2021-1-31 15:26
这次的图应该是正确的了，这就是通常说11串锂电池保护板电路图，没有单片机。CO是充电保护端，DO是放电保 ...

D1是怎么防止倒灌的？我感觉你是做BMS的

QWE4562012 发表于 2021-1-31 09:46
这是CW提供的完整的电路

这次的图应该是正确的了，这就是通常说11串锂电池保护板电路图，没有单片机。CO是充电保护端，DO是放电保护端，平时都是高电压（比通常说的5V高电平还高得多），保护时为零。Q3和R22就是起快速关断作用的。而那个D1是在产生充电保护后起防止电流倒灌作用的。

xhaity 发表于 2021-1-27 08:48
R6 5.1M就没多大用了，5.1K差不多，Q1三极管当作二极管用， 比二极管压降低，电路不全，脑补其它部分，就是 ...

恩   我感觉你有水平！ 烦请告知下Q1和D1有何用意

rundstedt 发表于 2021-1-26 16:38
Q1D1全都画错了，这图明显是抄板抄出来的，还抄错了。

不是的   是FAE提供的   源文档是AD 用PADS导进来的

QWE4562012 发表于 2021-1-26 14:16
CO是单片机出来的   CO高电平的时候  Q2导通   既然Q1始终导通   那Q1的意义是？还是说CO为高的时候Q1才 ...

怀疑这个电路有问题，稳压管Z2用到了15V，说明这里需要接近15V的驱动信号，可能两只功率管是IGBT，而单片机输出太低，三极管是用来对信号进行电压放大的。

表示当信号CO为高时，晶体管Q1始终导通，当CO接地时，Q1截止，Q2，Q5也截止，然后电阻R19和R20通过R22快速释放Q2和Q5的栅极电荷 。

R6 5.1M就没多大用了，5.1K差不多，Q1三极管当作二极管用， 比二极管压降低，电路不全，脑补其它部分，就是电池的充放电管理的开关电路， 不牵扯nmos快速关断电路。

Q1D1全都画错了，这图明显是抄板抄出来的，还抄错了。

这个电路从R2来的信号只能使Q2导通，截止的信号可能是从R19来的，电路不全。

xhaity 发表于 2021-1-26 08:50
怎么看就像是个上电开关电路，可能是防反接的上电开关电路，上一个快速关断电路供参：

是怎么实现快速关断的？

f556 发表于 2021-1-26 00:50
电路图不全，应该是R19快速拉低Vgs关断

R2左边是IO驱动信号

我怎么觉得R22就像NPN二极管， 基极和发射极直接接电阻一样的功能，防止误触发。

当为Q1的发射极提供电源电压时，PNP Q1始终导通。 NMOS Q2的栅极电压比源极高15V，因此Q2导通。 当Q1的发射极被拉低时，Q1截止，Q2的栅极被拉至低电平，因此Q2截止。 R22用于快速释放栅极-源极电荷。

怎么看就像是个上电开关电路，可能是防反接的上电开关电路，上一个快速关断电路供参：

电路图不全，应该是R19快速拉低Vgs关断

钟志伟 发表于 2021-1-25 11:07
MOS在G极的驱动电阻上并个快恢复二极管就可以快速关断了，IGBT就要用负压关断

他这个是串联  所以我也没看懂。。。。。。

wufa1986 发表于 2021-1-25 10:48
从电路看这个并不能快速关断VGS，R22太大了

和R22有啥关系   分析下？这个不是基极的电阻啊

名字不是重点 发表于 2021-1-25 10:54
Nmos管要快速关断，就要把G极接低，越低越快，能负压最好

如何实现   具体说说

MOS在G极的驱动电阻上并个快恢复二极管就可以快速关断了，IGBT就要用负压关断

Nmos管要快速关断，就要把G极接低，越低越快，能负压最好

从电路看这个并不能快速关断VGS，R22太大了