wufa1986 发表于 2021-4-21 15:24
反向电流不受控制的，你漏画了他的内部二极管

我就是想从图1的电流D到S方向转化成图2的S到D方向（通过内部寄生二极管走电流）。现在不知道想要转换时对三个端子的电压要求是什么。您说的反向电流不受控制是什么意思呢？是说它不受Vgs控制吗？那受Vsd控制吗？

反向电流不受控制的，你漏画了他的内部二极管

fasoo 发表于 2021-4-21 14:54
不是很明白楼主的意思，N型MOS管，DS反向二极管不受G极控制，只能能满足二极管导通条件即可，只是50mv肯定 ...

是像楼上说的那样要满足VSD大于0.7V吗？把50mV改成大于0.7V或者把D端电压设置成大于-650mV这两个方案都可以吗？

wulin 发表于 2021-4-21 14:30
NMOS管的DS导通条件是VGS正向偏压大于阈值电压。VDS反向偏压大于0.7V时，内部寄生二极管即导通，与VG正反向 ...

我就是想让内部寄生二极管导通。“VDS反向偏压要大于0.7V”那是说D端接地还不行？D端还得给一个-650mV以上的电压？这个时候VG不用电压不用变化寄生二极管也能导通是吧？

不是很明白楼主的意思，N型MOS管，DS反向二极管不受G极控制，只能能满足二极管导通条件即可，只是50mv肯定不够。

NMOS管的DS导通条件是VGS正向偏压大于阈值电压。VDS反向偏压大于0.7V时，内部寄生二极管即导通，与VG正反向偏压没有多大关系。