C8给单相可控硅提供一个稳定的触发电压（电容储能端电压供给可控硅G极），电容的充电时间长短可以控制可控硅导通角度（假设有可调电阻串联在电容充电回路中，那么调整可调电阻则响应改变电容充电时间，电容端电压达到可控硅阈值，则可控硅导通），R3是给C8放电用的。R4，R6，R9是串联分压同时限制电流用的，限电流大小参考稳压管ZD1的最大稳压电流来确定，以保障稳压管能够承受不被击穿。其中R4与R6可以看做一个电阻与R9串联，串联阻值比例则根据稳压管稳压值来确定分压值。稳压稳压管是保障三极管不被击穿，8050三极管的Vbe额定值是6V。

主要是限流作用，之所以用到三个可能与封装有关防止爬电，至于击穿这事如果电路设计合理导线连接无误那是没问题的

你这个应该算是 过零检测电路  我建议你用我这个电路
http://www.51hei.com/bbs/dpj-202273-1.html