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感谢大神指导,现改正电路图请大神们过目感激不尽!

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发布时间: 2021-6-20 12:25

正文摘要:

小白一枚,经过大神们的指点,现在改了下用单片机IO控制场效应管驱动电磁阀的电路,用的是P沟道的2SC136,大神们有的说我的光耦输入电路那个330电阻和104电容是没啥用个,我是看别人的输入电路自己改的,不知道是否合 ...

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ID:298123 发表于 2021-6-22 14:43
原理不搞清楚,瞎画有用吗?
ID:942034 发表于 2021-6-22 00:53
稳压二极管稳压值15V,VCC为24V。常态下mos的G极也为15V,单是源极为24V,作为P沟道,压差已经达到了9V,这只管子关不掉,永远出于导通状态。
ID:298123 发表于 2021-6-21 14:43
本帖最后由 hz_dyg 于 2021-6-22 14:29 编辑

。。。。

无标题.png (81.71 KB, 下载次数: 32)

无标题.png
ID:582276 发表于 2021-6-20 23:12
P_MOS 管不是这样子工作,(对于G极,你可以联象一下PNP管的基极),在Vsg>夹断电压时会导通,又加个15V的稳压极管钳位,那肯定是一起直导通的。如果一定想用PMOS管,在SG之间并个电阻,保证g为高电平,G还要通过一个电阻经光耦到地,光耦导通时将G的电平拉低。但这样耗电比较大。最好象前面的大神们说的用NMOS管。
ID:929847 发表于 2021-6-20 19:22
五福临门 发表于 2021-6-20 16:02
想不到楼主自诩小白也这样厉害,小的战五渣已经无地自容了!

我真是小白,就是懂点皮毛 菜的一批还好友论坛大神们帮忙 感激不尽
ID:491875 发表于 2021-6-20 17:09
这个改进电路可能不行!MOS管的导通由GS电压决定,稳压管的加入使得GS之间存在约9V的GS电压,可能导致MOS管不受控而直接导通
ID:491875 发表于 2021-6-20 17:04
R9确实没有必要存在!光耦的初级只要控制初级电流和反向电压就可以了,5V供电而且没有反向电压,所以,R9完全没有必要存在。
ID:423832 发表于 2021-6-20 16:02
想不到楼主自诩小白也这样厉害,小的战五渣已经无地自容了!
ID:47286 发表于 2021-6-20 15:08
这电路太累赘了 而且 我也想问 你为啥那么喜欢光耦


ID:342822 发表于 2021-6-20 14:29

555333.gif (144.23 KB, 下载次数: 31)

555333.gif
ID:401564 发表于 2021-6-20 14:24
R9和104完全不需要,在PC817的数据手册中也有电路可以参考,这R9就是多余的
所谓隔离,因为我看到你电路的地,如果单片机供电和24V共用一个地,就没有隔离的必要
如果单片机是一个电源,24V是另外一个电源,而且是没有线相通的,那光耦才有隔离的作用
电磁阀是个机械的东西,开启和关断的速度相对于MOS管来说,时间是非常长的,没有速度要求,所以,R1的大小可以是从1K到100K的电阻,随便用,有哪个就用哪个,这东西在实践中就可以试一下
至于怎么稳定VGS,你可以参考一下PNP三极管,原理是差不多的
ID:818024 发表于 2021-6-20 14:08
为什么要加R5和R9限流?左边直接一个共射三极管驱动光耦,右边直接接场效应管
ID:929847 发表于 2021-6-20 13:58
taotie 发表于 2021-6-20 13:28
你用Proteus 仿真验证一下这个电路不行 再修改

不会那软件
ID:929847 发表于 2021-6-20 13:58
回答大神1:R9是超别人的电路来的,2:想用光耦实现输出隔离3:R1到底多大很是我是小白4:手里有几个2SC136,没合适的N沟道,5:680串联330 5V分压到电容两端1.5V左右是光耦的工作电压,这个输入加电阻电容的光耦电路,我在别处找的,人家说抗干扰比单纯串电阻好,可能我是小白被忽悠啦6:具体我分析啦下稳压的电路是画错啦,一会改正。7:那个104电容看别人说抗干扰
ID:929847 发表于 2021-6-20 13:57
Y_G_G 发表于 2021-6-20 13:23
我也是神奇了?
1:R9的作用是什么?
2:为何对光耦如此的执着?

回答大神1:R9是超别人的电路来的,2:想用光耦实现输出隔离3:R1到底多大很是我是小白4:手里有几个2SC136,没合适的N沟道,5:680串联330 5V分压到电容两端1.5V左右是光耦的工作电压,这个输入加电阻电容的光耦电路,我在别处找的,人家说抗干扰比单纯串电阻好,可能我是小白被忽悠啦6:具体我分析啦下稳压的电路是画错啦,一会改正。7:那个104电容看别人说抗干扰
ID:342822 发表于 2021-6-20 13:28
你用Proteus 仿真验证一下这个电路不行 再修改
ID:401564 发表于 2021-6-20 13:23
我也是神奇了?
1:R9的作用是什么?
2:为何对光耦如此的执着?
3:R1的大小改变对MOS管有什么意义呢?
4:为什么一定要用P沟道的?N沟道它不行吗?
5:P3.2为什么一定要用上拉电阻呢?只用一个限流电阻它不行吗?
6:这是P沟道的MOS管,你那15V的稳压对于MOS管的G极电压是没有稳压作用的,你这个是把G极电压固定在24V-15V=9V,这G极电压的计算方法和N沟道的计算方法是不一样的
7:这104电容又有什么意义呢?
ID:342822 发表于 2021-6-20 13:23
当然是靠近mos管栅极处
ID:929847 发表于 2021-6-20 13:15
taotie 发表于 2021-6-20 13:09
R1处加10k泄放电阻对地,使光耦关断时mos管电容电荷快速释放

是在栅极处加10K电阻吗,还是在光耦的三极管发射极接10K电阻啊,
ID:342822 发表于 2021-6-20 13:09
R1处加10k泄放电阻对地,使光耦关断时mos管电容电荷快速释放
ID:929847 发表于 2021-6-20 12:26
恳请大神们指导

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