这时就需要你计算电感在切断瞬间所存储的能量，你打算用多少时间来吸收这些能量，在电阻上消耗多少，让电容吸收多少？触头能分断的能量是多少？……再进行计算。这些都需要你有足够的知识来支撑。
要点是：吸收一部分即可，只要能保证触点不受严重伤害。不过伤害是无法免除的，只是大小不同而矣！
需要你考虑一个度。还有概率在里面……。

lzl12399 发表于 2021-6-22 14:56
把高压陶瓷电容加在继电器输出触点和零线之间。

具体如何计算电容值呢，是不是根据负载的反向电动势计算决定

把高压陶瓷电容加在继电器输出触点和零线之间。

yzwzfyz 发表于 2021-6-22 13:54
这与你想用R1、CAP2干什么有关？有目的，才有参数。
你能先说出目的吗？
记住：任何一个参数的选择，都有 ...

继电器触点如果带感性负载的话，关断会在触点形成电弧，并联电阻电容是为拉吸收着部分能量，具体如何取值，一直找不到答案

Y_G_G 发表于 2021-6-22 10:22
怎么又问这种问题了呢?拿来主义在你这里还真是发挥到了极致呀!你十几个主题几乎只问这同一个问题,你这做法 ...

就是不懂才问，我几分钟可学不会啊

这与你想用R1、CAP2干什么有关？有目的，才有参数。
你能先说出目的吗？
记住：任何一个参数的选择，都有其目的，
所以学东东，先要了解目的是什么？

怎么又问这种问题了呢?拿来主义在你这里还真是发挥到了极致呀!你十几个主题几乎只问这同一个问题,你这做法太消遣我们这些在免费问答问题的人了
已经有多个电路给你了,你一下P沟道MOS,一下N沟道MOS管,一下2003驱动光耦,一下2003驱动继电器
这些东西都是基础的知识呀,随便找个资料看一下,几分钟就知道怎么用了,发帖的时间足够你学很多了

munuc_w 发表于 2021-6-22 08:25
单片机上电初始化的第一件事就应该是处理端口电平，继电器吸合大约需要20ms，一般是没问题的，特例除外（如 ...

谢谢大神指点，这个电路还有其它问题吗

单片机上电初始化的第一件事就应该是处理端口电平，继电器吸合大约需要20ms，一般是没问题的，特例除外（如初始化完成前死机）。安全可靠的方法是用低电平驱动，即光耦输入级用PNP三极管驱动，单片机驱动三极管。

单片机上电瞬间可能出现高电平误触发，如何防止上电瞬间误触发有什么好的方法吗