漏极输出下降沿沿2.多ms,上升沿80多ms 是因为你的漏极负载是R9,电阻值大,电压上升自然慢。 |
改用推挽输出驱动。这种光耦关断很慢的,参考TPL715这种。 |
80多ms的话那就和驱动电路没关系了,要看看负载的阻抗特性 |
否则的话使用推挽电路 |
把光耦与电阻位置对调试看 |
14楼已经说明原理了,楼主这种驱动只适合做开关时间大于1秒的情况。最简单是5VIO脚直接驱动MOS管可以满足楼主的要求,IO脚到地要接一个5.1V稳压管保护就可以了。 |
MOS理论上是电压控制器件,但需要高速的时候,则需要很大的驱动电流,因为栅极电容的存在,导通就是需要给电容充电。所以光耦电流太小了,所以速度起不来,最简单的是按照10楼的,用图腾柱驱动。 |
817光藕驱动电流有限,要加驱动电路才能让MOS管加速导通,要么换MOS,要么加个三极管 |
漏极220v可以用示波器量么? |
这种接法,输出上升是关断,下降才打开 R10换成1K的,或者反接一个二极管试一下 下降不够快的话,加大驱动电压和电流 |
0孙悟空0 发表于 2021-10-25 16:19 此图控制MOS管开关上下沿可以小于1us。 ![]() |
wulin 发表于 2021-10-25 15:56 您在看看上面的回复,栅极输入上下沿都是0.2ms符合要求的,但是漏极输出那上升沿80多ms |
wulin 发表于 2021-10-25 15:56 1ms级别就行了,但是实际几十ms |
0孙悟空0 发表于 2021-10-25 15:13 查了下你管子的datasheet,里面有Qgs、Qg的参数,你仔细想想用你现在这点电流把电荷搬来搬去需要多少时间吧。 |
楼主的电路结构和元件选择都不符合高速要求。如果对MOS管开关速度有较高要求建议使用TLP250专用光耦。 |
MOS的栅极对地是不导通的,它相当于是电容。 当打通MOS时栅极电压为高,是由光藕提供的,很快电压就上去了(充电电阻很小)。 当关闭MOS时,栅极电容的放电只能通过R10,这个电阻是10K,放电当然就慢了。放电慢,栅极电压下降就慢,速度就上不去了。 改善的方法是,关断是,让放电回路电阻变小!! 明白道理后,改进不困难。 |
Hephaestus 发表于 2021-10-25 15:01 看了数据手册了,上面写的开关时间都是几百ns |
查datasheet里面Cgs有多大你就知道为什么那么慢了。 |