E2容量加大，且并联104贴片小电容

光耦隔离，热地危险

从你的原理图可以看出设计不合理！C1取值104，C2取值103，显然不合理，根据容抗与电容值成反比关系，C2的容抗显然要大于C1的容抗，分压原理C1的端电压明显要小于C2的端电压！（不考虑R4的分压），正确的做法是C2取值为C1的10倍以上，这样C2端电压就会降低！再在ZD1两端并联一只电容器，稳压管就不会烧了！另外，D4没必要存在！C2两端电压不会超过1000V，1只4007甚至4004都完全可以满足要求！如果C2两端电压超过1000V，稳压管必烧！

这个仅能做缺相保护？之前见过用一块双时基集成电路制作的缺相过载保护器

光耦都没一个？变频器的通讯电路，驱动电路和保护电路都是光耦隔离

如果5v正常后面电路应该没得问题。那个75度是温度开关吗，如果是！检查4脚方向设置。

取样电路改进一下吧！用电流互感器取样要可靠一些，电压取样不可靠！

图不完整，最关键的地方——单片机是怎么检测380V的你没有贴出来。

单从原理图上，你是看不出毛病的。
而实际电路中，高压是可以通过【分散电容……，感应电压】，窜入CPU的引脚上的，设计时需要加防护。