| 这3.3V控制1.8V有必要用到光耦吗?一个三极管不行吗?还是说,地都是不共地的? |
老愚童63 发表于 2022-3-16 07:27 设计裕量楼主留的已经足够了。 光耦初级电流如果单片机输出我也不会用20mA这么大，但是如果是外部24V离散量输入的光耦隔离，我设计电路都是20mA刚刚起步，就是为了抗干扰，再恶劣的工业场合也不太可能在连线上感应出20mA的电流。“通常”一般是井底之蛙的井口那么大的见识而已。 单片机I/O驱动能力楼主在9V已经贴出来了，如果驱动太多这样的20mA确实有问题，可是楼主也没说有很多组吧？目前只能证明有一组，楼主设计完全没问题。 光耦离散性问题，“在5~10mA初级电流……”这都是你的梦话，忽略不计。光耦前向电流20mA，后向电流5mA，需要的CTR是25%，而楼主位显示出不同档光耦CTR在50~600%之间。 算完之后我觉得楼主除了不懂电源不隔离不需要光耦以外，单单计算配套电阻的水平不知道比你高到哪里去了。 |
Hephaestus 发表于 2022-3-15 20:49 计算没错，但现实设计我们必须留有一定的设计裕量。光耦初级电流通常设计在5-15ma，考虑到单片机的I/O口电流限制，最好设计在5-10ma为宜。另外，我们必须考虑光耦的离散型问题，在5-10ma初级电流情况下，次级CE导通电阻的影响，所以，如果仅仅作为电平变换或者开关信号传递，光耦集电极偏置电阻最好适当增大一些，以保证光耦输出处于饱和导通状态以降低导通时的CE电阻的影响。 |
| 计算出来的楼主的设计完全正确。但是两边共地确实不需要这个电路。 |
| R7太大，R?太小。R7改成200-470欧姆，R?改成1K-10K. |
mianshixuehu 发表于 2022-3-14 13:52 光耦电路一般用在高低压全隔离的，（冷热电端，或者说是220AC与低压DC之间），你看一下手机充电头的电路就明白。 |
mianshixuehu 发表于 2022-3-14 13:52 光耦左右的设备（光耦本身左右两半算不连接的)，没有任何其他共同的连接部分才算隔离。你3.3v是同一个电池的话，都不算隔离。 然后那个105r感觉不靠谱啊，好歹要1k吧？ |
名字不是重点 发表于 2022-3-14 09:04 是不是要吧电源和地左右分开才是真的隔离？ |
| 光耦用在这里就是画蛇了这个电路。在电气上没能做到真正的隔离，不如一个三极管来的简便实惠。。 |
5191 发表于 2022-3-13 22:50 那提高限流电阻是否会影响光耦的开关呢？ |
周翔宇 发表于 2022-3-13 23:23 那右边的电阻是可以去掉吗？ |
188610329 发表于 2022-3-13 20:12 正向压降应该是说的光耦的二极管压降吧，算上来的话电流应该是20ma左右，IO烧不烧这个我确实没考虑到，我打算用STM32 的单片机，不知道大佬是否知道IO的电气能力20ma一个IO口会不会烧呢？ |
发表于 2022-3-13 19:37 这个图上的单片机是在左边 |
| 主要看你左边，只要把灯点亮就可以了，这个需要注意两点，一保证点亮二极管的电流，二、不要灌到单片机的电流太大，可能会烧毁单片机 |
| 发射压降1.2V的话，适当加大限流电阻，470R?510R?看IO口的灌电流能力， |
| R7的105R，是什么意思? 105欧的话电流会有30ma，io不会烧么？1000K的话电流才3ua，能导通么？ |
| 单片机在哪边？ |
| 2脚最好也加个上拉电阻 |
组图打开中，请稍候......
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