找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索

关于MOS管驱动电机的问题

查看数: 3321 | 评论数: 8 | 收藏 0
关灯 | 提示:支持键盘翻页<-左 右->
    组图打开中,请稍候......
发布时间: 2022-3-26 18:47

正文摘要:

本帖最后由 KingTheWorld 于 2022-3-26 19:43 编辑 如图,MOS管用的是SI2301(P)和SI2302(N),当两个IO口5V 时,一高一低没什么问题,电机可以正反转;但是IO口3.3V 时,这时候控制电机就会烧MOS管,哪位大佬 ...

回复

ID:491875 发表于 2022-3-27 09:33
要证实也不难,楼主只要将上管与下管交叉去掉一只,然后将2只MOS管的G极短接接3.3V电压,此时,如果电机能够正常运行就可以证实PMOS管不受控!
ID:491875 发表于 2022-3-27 09:28
2301的GS电压-1.0V就导通了,-1.7V可能会饱和导通!如果I/O口3.3V,全桥5V供电可能会因为上MOS管2301不受控制而烧MOS管.
ID:491875 发表于 2022-3-27 08:39
baobao125 发表于 2022-3-27 06:29
PMOS没彻底关断就烧了。

分析的对!I/O口3.3V,MOS管供电5V,存在约1.7V的压差,-1.7V的GS压差可以使PMOS管不受控制部分导通或者饱和导通,造成与下管NMOS管处于共通状态!全桥上下管同时导通短路,势必造成MOS管过流损坏。
ID:960619 发表于 2022-3-27 06:29
PMOS没彻底关断就烧了。
ID:332444 发表于 2022-3-27 05:46
这种电路有缺陷,应该需要上下泄放电阻,导通电压必须要达到饱和导通的电压,因此驱动前必须考虑驱动电压转换,增加一级三极管串联LED驱动就可以了。
ID:420836 发表于 2022-3-27 02:51
MOSFET晶体管被驱动到饱和区,导通电阻太大,导致MOSFET的功耗很高,最终由于热应力而失效。
ID:357396 发表于 2022-3-26 19:42
percy 发表于 2022-3-26 19:40
导通和截止不充分,造成半桥短路!

哈哈,其实我也这么觉的,就是不确定,谢谢
ID:1006852 发表于 2022-3-26 19:40
导通和截止不充分,造成半桥短路!

小黑屋|51黑电子论坛 |51黑电子论坛6群 QQ 管理员QQ:125739409;技术交流QQ群281945664

Powered by 单片机教程网

快速回复 返回顶部 返回列表