xianfajushi 发表于 2022-5-20 20:06
思考了有一段时间了，估计问题出在用场效应管控制开关机上，这里存在电压波动问题，假若控制用微型继电器触 ...

没错，就是电压波动造成的， 前几天用示波器看了波形。 这个没法用触点继电器来解决，因为，这个触发的频率太高了， 之前用800ms周期。 后面，把触发频率提高到500ms，然后提高关断采样的阈值，问题基本上解决了。因为这个会受很多元器件的精度影响，所以，后续只能靠软件算法来弥补。

在这个单片机论坛硬件常有很弱的提问不足为奇，问硬件到硬件论坛比较专些。

思考了有一段时间了，估计问题出在用场效应管控制开关机上，这里存在电压波动问题，假若控制用微型继电器触点的话则不存在电压问题，估计会比较彻底关闭，这是从理论上推导，实际没这样电路无法验证，验证有待题主了，若验证成功的话，回复我一下以验证推导是否正确。

君工创 发表于 2022-5-19 10:30
电路上电后，通过R12,R15,D10,D11,电压加到Q3G极，Q3导通，电流从C17,CN4,2T,Q3.形成回路。同时，由互感线 ...

感谢解答。  但还是不太明白，D7两端的电位差有什么用？

电路上电后，通过R12,R15,D10,D11,电压加到Q3G极，Q3导通，电流从C17,CN4,2T,Q3.形成回路。同时，由互感线圈给Q3G极形成反向电压，令Q3截止，给Q1G极形成正向电压，Q1迅速饱和导通。电流经Q1,CN4,C17,形成C17的放电回路。同时，电感线圈的反馈电压再次反转。Q3,Q1,互相导通与截止，形成震荡。

能做硬件的人好少啊

顶一下

xianfajushi 发表于 2022-5-17 19:14
控制低电平看是什么样电路，是否能完成控制？一半的话，可能就是电路存在问题。

控制电路应该不会有问题吧，刚刚把控制电路也贴上去了。

robinsonlin 发表于 2022-5-17 16:56
感谢解答。 那么？D10、C18和C20的哪些性能指标，会导致这个自激励周期会加长。
这个电路中，D14负极有 ...

控制低电平看是什么样电路，是否能完成控制？一半的话，可能就是电路存在问题。

一事无成 发表于 2022-5-17 18:32
看起来像是一个触发电路+不对称半桥，触发电路和可控硅的很像,R12R15C20构成RC触发，因为MOS是压控器件所以 ...

真是馊主意，频率太高，电路不好实现。   不过思路可取，我也一直怀疑是不是C18和C20的差异性，导致了自激励周期的长短不同。 刚买了大品牌的电容，准备把C18和C20换掉，明天换上才知道行不行。

看起来像是一个触发电路+不对称半桥，触发电路和可控硅的很像,R12R15C20构成RC触发，因为MOS是压控器件所以加了D7给C20泄放？但可以看出来这电路不需要外触发，出个馊主意，要达到控制口变低后，自激励迅速结束，控制断开RC电路或者让C直接短路，只要触发到不了MSO就行了

Hephaestus 发表于 2022-5-17 16:44
负载是CN4吧？

是的。  感应加热线圈CN4

xianfajushi 发表于 2022-5-17 16:45
假设C20充电击穿D10使得Q3导通则C18得以充电达到饱和后反转Q1导通C18放电结束反转上述过程。

感谢解答。 那么？D10、C18和C20的哪些性能指标，会导致这个自激励周期会加长。
这个电路中，D14负极有个控制口IO_CTRL，控制口高电平一下，电路就会自激励一次。现在我遇到的问题是，有一半的板子，控制口变低后，自激励过程还保持了很久。 我原本希望的是，控制口变低后，自激励会迅速结束。

假设C20充电击穿D10使得Q3导通则C18得以充电达到饱和后反转Q1导通C18放电结束反转上述过程。

负载是CN4吧？

DB3是双向触发二极管，C20是启动触发延时的积分电路的电容，D7的作用是：在Q3饱和导通期间，C20通过D7快速放电。C20对启动时间和间歇时间有影响。