一夜暴富 发表于 2022-7-25 16:19 我用3400出现mos烧坏了，电路你可以看下，现在还在找问题 http://www.51hei.com/bbs/forum.p ... p;page=1#pid1100322 |
wulin 发表于 2022-7-25 16:47 好的~这就去改板子 |
一夜暴富 发表于 2022-7-25 11:10 按15楼建议办，如果12V和单片机共地，无需光耦隔离。 |
wulin 发表于 2022-7-25 11:09 大佬的回复也很有帮助，奈何只能选择一个最优回复 只能按时间顺序给另一位大佬了~ 不过非常感谢二位 |
Y_G_G 发表于 2022-7-25 14:00 明白，根据大佬的信息，我觉得用NMOS 3400好像就不会有问题  |
一夜暴富 发表于 2022-7-25 10:05 HCPL-0611 |
| 没接反，要想让这些MOS管正常工作一定要选Super Low Gate Charge的管子，这样才能导通，比如QM3004D之类的都可以选择 |
一夜暴富 发表于 2022-7-25 10:04 第二个电路没注意看,如果是感性负载,二极管是要和负载并联的,不是接地的,已经有网友指正了 隔离,钳位,光耦,3.3V不能驱动NMOS,烧单片机的,不需要理会 如果12V和单片机共用一个电源,光耦就是多余 有的NMOS会标志VGS=10V,这是完全导通的电压,实际上并不需要那么高,而且,3.3V导通时的DS两极之间电阻也并不大,只是作为一个负载的通电和断电而已,随便用 至于用哪种电路,这个得你自己决定 |
一夜暴富 发表于 2022-7-25 11:36 哈哈，真的看错了，绕了一下，以为是直接连接上的。。。 |
pcf2000 发表于 2022-7-25 11:11 没有的，线绕了一下。你康康 |
| 第一个电路的MOS管 D、S极脚是不是接错了，MOS内部的二极管这样接法不是直接导通了吗？！ |
wulin 发表于 2022-7-25 11:09 明白了，NMOS是直接驱动就可以吗，因为我看有几楼是说需要加隔离什么的 |
一夜暴富 发表于 2022-7-25 10:23 加续流二极管的目的是释放继电器绕组产生的反峰电压，以保护晶体管不被击穿。其保护对象只有一个，当然续流二极管只需一个。 |
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！您画续流二极管的时候我突然意识到 如果我同一个MOS控制两个负载 需要并两个二极管吗，还是一个二级管就可以了 |
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wskufo 发表于 2022-7-25 07:23 谢谢，有什么型号推荐吗 |
Y_G_G 发表于 2022-7-25 00:15  是的！就是因为PMOS选来选去发现SOT23封装的最大才支持4.3A电流，感觉不符合我预留余量才想试着用NMOS我看楼上楼下都说需要加隔离之类的，不知道要怎么添加？ 或许也是类似于三极管+mos管驱动的模式？ 光耦没怎么用过 |
一事无成 发表于 2022-7-24 23:55 明白，但是理论上来说达到启动电压VTH不就应该能导通了吗。我看现在NMOS都是2V左右就导通了 如果是电平转换的话，不知道是该怎么做？ |
| 前面加个高速光耦隔离驱动。 |
| 3.3v一般不能直接驱动NMOS，要电平转换，并且单片机最好加隔离或者钳位，不然容易烧单片机。MOS要选大点的，不管是耐压还是耐流，数据手册上都是理想情况，启动瞬间电流也比较大，还有尖峰脉冲之类的。另外NMOS要加下拉电阻，防止误触发。 |
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第一个电路的R26用100K,Q12的G极和Q13的C极之间串联一个1K电阻 第二个电路的Q14的G极并联一个100K的电阻到地 两个电路都可以,区别只是高低电平导通和是否共地而已,一般是用NMOS管,这个电路元件少,好设计 用PMOS可以共地使用,有的电路必需要共地使用的 MOS管功率看条件来取,允许的话,用2倍左右电流 像3A负载电流可以选用AO3400(5.8A),PMOS管可以用AO3401A(4.3A),不差钱的可以用AO4409(15A随便你折腾) |
组图打开中，请稍候......
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