飞奔的哇哈哈 发表于 2022-8-17 13:10
哦哦，感谢您的建议，以前用过L298N那个模块，块头太大了。这次又想驱动电机玩玩，在查驱动电机方面的资 ...

L298都是哪一年的了，现在的芯片，SOP8,3A,30V。包含了一个完整的H桥，还附带过流短路保护，自己别瞎折腾 了。

cnos 发表于 2022-8-16 14:41
AT8236，A4950这些芯片不香吗，不用自己搭H桥啦

哦哦，感谢您的建议，以前用过L298N那个模块，块头太大了。这次又想驱动电机玩玩，在查驱动电机方面的资料时就往怎么搭H桥这里查了。确实忘记往集成电路这里想，用集成好的芯片，尺寸也会小很多。

yzwzfyz 发表于 2022-8-17 10:07
Q1那个MOS管我能理解。当G1给高电平时MOS管导通，相当于这个MOS管接的电机的引脚直接接地了
答：准确地说 ...

感谢您的指点，还有一个问题。那么是不是 Q2 的 GS 的压差只要比 GS(th)的 -1 ~ -3 高就可以导通？ 比如GS是 -5V 或者 -10V  Q2都是处于导通状态的吗？ 因为我看手册的  GS(th)是 -1 ~ -3 的范围，有点迷茫了。

这个是很常用的H桥电路，从MUC输出信号正转和反转不能同时高电平，同时高电平其中MOS管一定会烧一个。A1端在R12后面加一下47K电阻到地，这个电路就没有问题了。

没你想的那么复杂。

基本的逻辑是：A1高电平时，A2必须同时低电平，通过Q5反相，输出给G2引脚也是高电平。

必须保证Q1与Q2只能同时打开一个，不可以2个同时导通，否则相当于直接短路。

AT8236，A4950这些芯片不香吗，不用自己搭H桥啦

你理解没问题。 5V不会烧 -3V只是可靠开通的最大电压。 不是极限参数 击穿电压在开头写着。应该是-25V.

Q1那个MOS管我能理解。当G1给高电平时MOS管导通，相当于这个MOS管接的电机的引脚直接接地了
答：准确地说，是MOS管的栅极对源极电压。高电平通，不是很精确的说法。
Q2这个MOS管这里就不太理解了，它的GS(th)是-1~-3。也就是说栅极电压要比源极低1到3v才能导通？
答：同上！！准确地说，是MOS管的栅极对源极电压为负，即源极电压低于栅极电压。
那我这个电路电路图中，当A2给低电平时，三极管Q5截止。GS(th)=0V?
答：此时R13中无有电流，即R13上无压降，你的分析是对的。
当A2给高点平时，三极管Q5导通，GS(th)=-5V?  但是因为GS(th)的最大电压是-3V，所以会烧芯片吗。
答：烧毁一个东东，需要足够的能量，这里不具备。更何况还有R14限流，-50V也烧不了。你可以试试。