当然不是这么简单的，不然也不会有专门的芯片做这个了

Y_G_G 发表于 2022-8-27 00:00
实际上就是电感电流不能突变的原理,有脉冲,还能阻挡点电流
也不知道100%的PWM还能不能叫PWM........

是的，电感电流不能突变,
而且电感突然断电时还会产生反向脉冲电压，这个电压甚至比原来的电压还高。一个很短的、反向的尖脉冲。

2SB772的开关特性并不好，最好用开关电源的上的那些管子例如 MJ13005之类的管子。R8太大时，大电流时管子可能无法进入饱和状态。

名字不是重点 发表于 2022-8-26 21:55
我猜是因为Q2是脉冲开关的原因，致使L3产生反向电动势，消耗在Q2上，才使Q2发热，当PWM=100%是，没有了脉冲 ...

实际上就是电感电流不能突变的原理,有脉冲,还能阻挡点电流
也不知道100%的PWM还能不能叫PWM........

全通（100%PWM）不热，半通热，那就是上升沿、下降沿发热量太大了，用示波器看波形。

1,R8太大了,最好是用10欧左右的
2,三极管本身压降就比MOS管大,发热是要大一些的,换MOS管效果会好点
3,R8并联一个104电容试一下,适当的加大或者减小,最好有示波器能看到波形

我猜是因为Q2是脉冲开关的原因，致使L3产生反向电动势，消耗在Q2上，才使Q2发热，当PWM=100%是，没有了脉冲，L3没有了反向电动势，所以Q2反而不热了。

用示波器看一下L3两端的波形？或是拿掉D1试试？

用三极管上肯定要发热，损耗不小，不如直接用可调的开关电源芯片来做。

元件上的功耗 = 流过元件的电流 * 元件上的电压。
对于三极管来说，功耗  = Ib * Vbe + Ic *Vce
导通时，Vbe = 0.7V(约)，Ib = 楼主自己估一下。 结果不大，暂作0处理。
             Vce = 0.1(约)，Ic = 楼主自己估一下。 结果也不大，暂作0处理。
截止时，Vbe = 0(约)，Ib = 0。 结果=0。
             Vce = 电源电压，Ic=0。 结果=0。
如此分析：无论导通与截止，功率都近似为0，管子不会发烫的。
也有例外，Ic特别大时，Ic * Vce 就不能忽略了。这种情况出现在短路、过流的情况下。
正常情况下为何发烫呢？当然是三极管上的功耗大了。大在何时呢？
有两个情况没有分析到：
就是：三极管从导通到截止，再从截止到导通的过程中，在这个两个过程中Vce 不是0.1V，Ic也不是0，它俩的乘积不是0。这时功耗大。也即大部分功耗发生在三极管导通与截止的过程中（上升下降沿）。
这个过程的时间越长，功耗越大。
1Hz是一秒之内有一个升降，1000Hz是一秒之内有1000次升降。

换个功率大点的mos管

最低成本就是单片机自带的PWM，或者IO口写进去PWM

Q2换成二极管会不会好点，比如SR1100或快恢复管，要不来两个4148试试，反正现在的反向耐压不够啊，另外你的负载多大呢？

按你的设计意图修改