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单片机io设置高阻+MOS电路容易烧坏?

查看数: 2902 | 评论数: 15 | 收藏 1
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发布时间: 2022-9-16 17:24

正文摘要:

为了低功耗分压电阻的电流用MOS关闭,测电压时打开MOS,但有个问题关闭MOS,24V经过100K电阻到IO口,虽然IO口设置高阻,但还是容易烧坏单片机。不想用PMOS和NMOS组合关断正极。有什么更简单的解决办法吗 目前有三种 ...

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ID:466250 发表于 2024-6-26 18:01
188610329 发表于 2022-9-19 14:49
不知道你那个MOS管,是用来干什么的……

这个电路用了3年半,从来没出过问题,IOA测电压, IOB 控制通断 ...

你这个电路ioa的电压肯定是6v以内的,iob关断后,60v经680k到ioa还是会有电流,iob关不关意义何在?
ID:466250 发表于 2024-6-26 17:59
io内部已经有钳位二极管,并不能解决烧单片机的问题,加稳压管或tvs可以解决烧单片机的问题
电路本身是想在睡眠时直接关断支路降低功耗
所以增加稳压管和tvs后,并不能低功耗,因为支路电流=(vin-zd)/r
ID:88256 发表于 2024-6-26 16:35
需要那么省电吗?就算使用电池长期通电,电流才多少?
ID:1045316 发表于 2022-9-20 15:16
MOS管最容易烧的  我觉得dir8870这个不错
ID:624769 发表于 2022-9-20 14:40
李冬 发表于 2022-9-19 17:21
你用是什么单片机

该方式,51核的多种单片机都用过,都没有出问题。(当然,前提是支持 开漏,但凡有默认上拉的单片机引脚都不可以)

上面提到的+60V用了3年半的 是用 STC15W408As的 部分电路。(不过,此单片机默认是准双向,需要保证单片机先通电,改变端口模式后,高电压再通电,这个设计比较烦,所以后来的项目都是用的默认高阻或者默认开漏的片子。)
ID:420836 发表于 2022-9-20 09:45
可以不用 MOSFET, 保持分压器不变,或使用双二极管进行电压钳位。
ID:709761 发表于 2022-9-19 17:21
188610329 发表于 2022-9-19 14:49
不知道你那个MOS管,是用来干什么的……

这个电路用了3年半,从来没出过问题,IOA测电压, IOB 控制通断 ...

你用是什么单片机
ID:1034948 发表于 2022-9-19 15:09
你把检测电路和MOS换一个位置就不会烧IC了,24V经MOS管再来IO口检测。你上面检测的时候R7电阻没有接地,所有电压24V直接供IC了。
ID:624769 发表于 2022-9-19 14:49
不知道你那个MOS管,是用来干什么的……

这个电路用了3年半,从来没出过问题,IOA测电压, IOB 控制通断。
60V 都OK 实在不知道你怎么做到 24V 就烧单片机的。


ID:398754 发表于 2022-9-19 09:06
单片机推动MOS管,不能直接用这种电路,要通过隔离电路或高阻单通道才不会损坏单片机
ID:725110 发表于 2022-9-19 08:37
李冬 发表于 2022-9-17 07:52
不是有100K电阻限流吗

瞬间电压无法保证
ID:709761 发表于 2022-9-17 07:52
圆就是圈圈 发表于 2022-9-16 18:47
24V直接冲IO口,怎么看也会烧坏的,开漏输出也不能这么整

不是有100K电阻限流吗
ID:796531 发表于 2022-9-16 19:26
IO5要么接一个3V稳压管到地,要么IO5接一个二极管到单片机电源
ID:725110 发表于 2022-9-16 18:50
或许可以试试在24V和单片机之间接一个20V的稳压管
ID:725110 发表于 2022-9-16 18:47
24V直接冲IO口,怎么看也会烧坏的,开漏输出也不能这么整

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