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PL2301GD SOT-23-3 P通道高密度壕沟MOSFET

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发布时间: 2022-10-19 17:56

正文摘要:

特点 ●用于低RDS的超高密电池沟槽设计(开启)。 ●坚固而可靠。 ●表面安装软件包。 规格书下载:

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