PL60N02D TO-252-3 20VN通道增强模式MOSFET

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发布时间: 2022-10-31 15:25

概述 PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。一般特征 VDS = 20V ID =60A RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V ...

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