QWE4562012 发表于 2023-3-7 15:23
高端检测  运放承受的电压不也是采样电阻两端的电压吗？这是一个差值  应该很小才对

电压和电位是两个概念.电压是两点之间的电位差,电位是相对于0电位点的电压.假定.你说的采样电阻两端的电压是差模电压,运放还有一个参数叫共模输入电压.你随便找一本运放数据手册看一下运放有没有共模输入电压范围这个参数,就是说取样电阻两端电位差可以很小(由于阻值小或者电流小),但取样电阻两端的电位并不低,有可能超过运放的共模电压输入范围,假定你的POWER点这里是个DC 48V.那么此时Rshunt两端的电位就在48V附近,两端的电位差就是流过的电流乘Rshunt阻值.

就是说,此时运放承受的差分电压是shunt电阻两端的压差.但此时的共模输入电压较高.

低端检测时,运放一端接地,一端接采样电阻上侧,就不存在这个问题

renstone 发表于 2023-3-7 11:42
高端检测是指取样电阻位与电源高电位侧和负载之间；
低端检测是指取样电阻位与负载和电源地之间。

高端检测  运放承受的电压不也是采样电阻两端的电压吗？这是一个差值  应该很小才对

coody_sz 发表于 2023-3-7 13:45
楼主引用的文章其作者确实有局限性。
高端检测不是用普通的运放做（当然做好电源也可以），而是有专门的IC ...

没明白你说的是怎么接  你把图贴出来

楼主引用的文章其作者确实有局限性。
高端检测不是用普通的运放做（当然做好电源也可以），而是有专门的IC，放大部分电路不一样的。
以前专用IC比较贵时，我常用普通运放，隔离正负电源供电（电感做反击变换得到），运放的地与高端电源轨连接，用一个高压P沟MOSFET将电流传到低端，高端可以检测高达400V。电压120V以下，电流精度允许2%，则可以用2N5401.

高端检测是指取样电阻位与电源高电位侧和负载之间；
低端检测是指取样电阻位与负载和电源地之间。

低端检测1这张图是高端检测。Rshunt是取样电阻，流过电流时，会产生电压差，这个电压在经过差分放大器放大或衰减到后级。这里的关键是运放的+、-端所承受的电压应该在运放允许承受的共模电压范围内，同时也在运放的正负电源轨范围内，否则无法正常工作。由于电源电压POWER可能远大于运放的电源轨，采用高侧采样时，那么就需要先进行分压把这个电压值限制在运放共模输入电压范围内。第一张图里面，Rshunt的高电位侧电位V1*R1/(R1+R2)就是运放+端的输入电压，同时由于运放负反馈，虚短，运放-端的电压非常接近运放+端的电压。从而+ -输入端的电压都被限制在运放允许共模输入电压范围内。

高端检测2这张图，应该是VCC比较低时用的这个和低端检测1实际上是一张图。

至于推导，无非是负反馈、虚短、虚断，你找本模电书，看一下差分放大器部分。
也可以到Ti的网站上找一下高侧电流检测的芯片手册看一下

写这篇文章的作者乱讲，以前高端检测还没怎么发展专用芯片，绝大部分都是低端检测，即使是现在，高端检测芯片的承受电压依然有很大限制

Hephaestus 发表于 2023-3-6 23:31
你引用的文章作者本身就什么都不懂乱写。

运放诞生之初就是默认双电源供电，地在两个电源中间。如果是单 ...

把四个电路输出电压推导写下哈

你引用的文章作者本身就什么都不懂乱写。

运放诞生之初就是默认双电源供电，地在两个电源中间。如果是单电源供电，那么地线就是正负供电的负电源，电源就是正负供电的正电源。如果高端检测需要运放“承受较高的共模电压”，那么低端检测就需要运放“承受较低的共模电压”。