| 顶一个。说得很有道理 |
| 不管是mos还是三极管想要1M以上的频率需要技巧，否则发热严重，不仅仅是驱动那么简单。 |
| 不全对，必须再加上栅极电容才对 |
| 导通时栅极电容充电，这与你的驱动极设计有很大关系。 |
hhh402 发表于 2023-6-9 10:59 大于100W这有啥难得？我还见过1MHz MOSFET X光机10kW电源呢，只是连续工作时间不超过10s。十多个MOSFET并联。 |
Hephaestus 发表于 2023-6-7 23:10 除了电容，还有电阻......还有电压的限制，所以频率是有上限的。除了考虑开，还要考虑关，电压越大开就越快，但关就越慢，楼主说：“根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度”，严格来说也对，但是开关的时间属于无用时间，开和关之间维持的时间才是有用时间。小功率情况下无用时间需要小于10%，大功率情况下无用时间需要小于2%，就按楼主选的MOS关来说：MOS开关20ns，驱动芯片开关延时需要50ns，驱动的方波开关延时20ns，一共是90ns（这个是极限时间，很难做到），用实例来参考一下：大于100W的开关电源MOS开关频率大部分在100K左右。楼主需要的功率是大于100W的，1.7M频率是正常频率的17倍，难度是非常大的。 |
| MOSFET标这些参数很少见啊！一般只标栅极电容和电荷，只要你有能力克服栅极电容，那么MOSFET想做到多高的频率就能做到多高，没有上限。BJT就不行了，有存储效应，从饱和状态恢复回来非常慢，几乎不能用于高速开关的场合。 |
| 这么大功率，想要1.7M开关频率很难？MOS管标注的是极限时间，实际是达不到这个速度的，普通MOS驱动芯片是500K，大部分MOS（电流>5A）实际开关频率<200k，1.7M建议用三极管。 |
| 对，不全对，还与驱动方式有关。 |
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