TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片

正文摘要:

概述 TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。 一般说明 RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V   RDS（ON）< 6mΩ @ ...