看Qg，越小频率越高，不能只看Ciss和Crss，不然大功率射频管对比小功率的普通MOS还真不一定，只能说相对容易驱动，另外，由于米勒效应，Crss不是固定的，很可能导致Ciss<<Crss，也就是说，高频下，驱动MOS不能看做驱动GS的电容，开了一半Crss变大了(米勒平台)，实际不好驱动
ps:正弦波和方波是不一样的，正弦波看频率，方波看上升时间和下降时间，高频下最好用正弦波，建议栅极谐振驱动

G级的电容以及给电容充电的时间

我根据Total Charge的电量来计算驱动电流和驱动速度，再加上开关延迟时间。

Hephaestus 发表于 2023-11-10 18:21
只要考虑Ciss就行了。

你好，延迟时间和升降时间不会影响工作频率吗？比如信号周期比升降时间、延迟时间还要小，那信号周期不会被覆盖变大吗考虑Ciss的话应该怎么考虑啊，是看栅极电阻和Ciss的通带还是其他的什么

Hephaestus 发表于 2023-11-10 22:36
Crss的容量连Ciss的百分之一都不到。

但如果说你输出的电压是380V, 那等同于380V的方波接一个22.4p的电容到G极， 跟3.3V方波接3.3n到G极比， 你觉得有多大的分别？模拟一下你就知道分别不大， 当然，如果说你的输出电压只有10V就可以不用考虑， 所以我强调如果输出电压高时就要考虑Crss

在单是：ns,pF的参数看。值小优选。

1600277881 发表于 2023-11-10 21:39
如果输出电压高的话Crss也要考虑

Crss的容量连Ciss的百分之一都不到。

如果输出电压高的话Crss也要考虑

只要考虑Ciss就行了。