楼主对COM管一窍不通，两个电路都是错漏百出，第一个无法打开COM管，第二个无法关闭COM管，这两个电路错误太多，没有修改的价值，重新做吧。

三极管要换成P管，R17不接地，接到12V处，其次MOS基极串接小电阻，还要加下拉电阻。你的光耦电路，原副边不供地，mos也要基极串接小电阻，还要加下拉电阻

两个电路都有问题， 都需要在GS之间加个电阻放电

R17A作为PNP管下偏置电阻(需要考虑阻值），以保证Q3导通。Q3添加一个集电极电阻，提供MOS管栅极工作电压。不知此法是否可行。

第二个电路也存在同样问题,除了驱动电压要满足要求外,结电压泄放必须的.

zhuls 发表于 2024-1-16 09:58
第一个电路中，Q4栅极电压约等于PWM电压-0.7V（Q3的Vbe），如果PWM高电平是3V3，那么G极电压就只有2.6左右 ...

大意了！如果换用PNP管，将出现新的问题 ：B极的电压一直低于E极的+12V，Q3会一直导通，电路失效。。。

第一个电路图设计上就是错的,要知道场效应管具有结电容,必须设计泄放回路,否则驱动的电压无法消失.

第一个电路中，Q4栅极电压约等于PWM电压-0.7V（Q3的Vbe），如果PWM高电平是3V3，那么G极电压就只有2.6左右了，很难让高Vgs的NMOS管导通。Q3这样的接法，只可以放大电流，但MOS管却是电压驱动型器件,所以放大电流没必要，也行不通的。
要么如楼上所说改成PNP管，要么尝试选用低Vgs的NMOS管，比如ST2302,Vgs可低到2.5V。
个人浅见。。

975336981 发表于 2024-1-16 08:40
将Q3更换为PNP型晶体三极管，R17作为Q3下偏置电阻以保证其导通。

你这个Q3是不是画反了，R17A是不是要改成上拉？

将Q3更换为PNP型晶体三极管，R17作为Q3下偏置电阻以保证其导通。

第一个电路的三极管导通后的内阻较大，不能提供足够的电压给MOS管的G极。可能这个MOS管的启动电压较高，如果启动电压4V,l加上三极管的0.7V,已经4.7V了。所以不能启动MOS管。

第一个图MOS G级只有PWM电平-0.7的电压，如果是5V及以下，mos压根不能完全导通，建议改成上拉+NPN控制，如果对速度有要求，可以增加一个低端MOS驱动

楼上说的对，要改为PNP的，驱动要反向

Q3应该是PNP的.

大IGBT 发表于 2024-1-15 21:40
三极管E极对地不通不能满足导通条件。改为PNP型E接12v,C接栅极，R17改接上啦，PMW改反向驱动。

三极管E极对地不通不能满足导通条件。改为PNP型E接12v,C接栅极，R17改接上啦，PMW改反向驱动。