抗饱和二极管，不用这个二极管，三极管截止时间是几个us，用了这个二极管，三极管截止时间是几百ns。
抗饱和相关知识，可以看看课本中分离零件TTL电路的相关章节。

TTQ001 发表于 2024-2-4 08:26
这是 PMOS 晶体管的体二极管，它是在制造 MOSFET 晶体管时制造的。

楼主问的是D1，没问体二极管，请审题。

看上去 确实用处不大。 仔细看看 ， 有可能 能提升 关断MOS的 速度。
只是猜测， 仅供参考。

这是 PMOS 晶体管的体二极管，它是在制造 MOSFET 晶体管时制造的。

老哥，图一中的二极管是由大功率的MOS管生产工艺造成的，不是特地焊装的啊，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。 小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。 模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。

二极管没用。

钳位S8050基极电压。