xiaobendan001 发表于 2024-3-2 10:25
Q2基极和射极有个10K的，但是，如果M的电源负极，你这光耦很危险，光耦次级导通时，电源正极L+通过发射结到 ...

你这么一说确实是很危险，8路输出我都上电试了。我量了三极管基极的电压，光耦应该还没烧，基极电压还能变化。虽然现在还是不知道为什么别的网友说要加电阻才能正常工作，但明白他们说要限流的意义。

zch5200 发表于 2024-3-2 08:43
看你的驱动4图片是电路问题不大，这里VCC的电压要和P60的电压一样才能正常工作，P60处低电平就会打开Q2，高 ...

大多数人说Q2基极要一个限流电阻。我不知道为什么要加一个限流电阻，NPN型的三极管我知道。我看到的电子技术书都是讲NPN型三极管，PNP型三极管都是说跟NPN反着来一笔带过。

llm8525 发表于 2024-3-1 20:50
简单讲：必须注意pnp三极管截止和导通条件，首先截止条件：基极不能有任何电流，即基极电压不能低于发射极 ...

以前只玩过NPN型三极管，现实和设计效果验证是一样的。现在还有个问题，就是M不接电源负极悬空三极管也是导通。如果“基极不能有任何电流，···，此时三极管截止”，M不接电源负极应该是截止才对啊？之前买的P型MOS管（型号：IRF9Z34NS-国产芯片）也是栅极接不接电源（包括电源正负极都试了）都是导通。下次打板就要试P型达林顿管了，不知道达林顿管默认是不是截止的。

管子的基极缺限流电阻。

Q2基极和射极有个10K的，但是，如果M的电源负极，你这光耦很危险，光耦次级导通时，电源正极L+通过发射结到光耦到负极，此时瞬间光耦就失效了，所以三极管应该就一直导通了。

三极管EB跨一电阻R, 因为光耦不导通时有漏电源, R太大关断不了. R太小不好驱动. 你试下接几K电阻.

看你的驱动4图片是电路问题不大，这里VCC的电压要和P60的电压一样才能正常工作，P60处低电平就会打开Q2，高电平Q2截止。如果VCC电压比P60处电压高的话，这个光耦就会一直是导通的那么Q2就会一直是导通状态。还有Q2的基极最好加个电阻，集射之间最好加个10N左右的电容保护Q2.

简单讲：必须注意pnp三极管截止和导通条件，首先截止条件：基极不能有任何电流，即基极电压不能低于发射极，此时三极管截止。导通条件：基极电压低于发射极此时就要看基极电流多少，小电流时三极管处在放大区，大电流三极管进入饱和区导通。 只要搞清楚三极管的三个状态（截止，放大，导通），再找问题不难。