|
发布时间: 2024-7-18 22:36
正文摘要:电路想过30安电流，用4个pmos并联，现在实测用24安不到的电流，温度一直能升到150度，求问，是否驱动电路有问题？ mos用的这款 |
君工创 发表于 2024-8-7 08:57 目前只短暂测试了一下，30安左右，裸露空气中，54度左右。 |
和我的问题差不多 |
| 请问楼主，改成现在这样的电路，会不会过热？ |
coody_sz 发表于 2024-8-3 10:19 这个写错了，不是这个mos |
|
你电路图用的AOD409，但是我手上的参数跟你贴测差别很大，60V 26A，40mR @VGS=10V。 |
| 这个是pmos,D1是稳压管。 |
Y_G_G 发表于 2024-7-27 22:07 D1是12伏稳压管 |
| 如果不是PWM控制，只是简单开和关继电器才是最优的，价格便宜，损耗小，不需要散热器。 |
wifen 发表于 2024-7-22 21:44 既然不是PWM控制,那你这个电路原理是没有问题的了 现在就看你PCB有没有好的散热和MOS引脚有没有画对,D1方向是不是对的,VGS的电压是多少,检查一下封装,有时候会把P沟道的封装搞错 |
Y_G_G 发表于 2024-7-25 11:59 不是pwm的电路 |
|
首先,你要先告诉我们,这是不是PWM控制,如果是PWM你这个电路是肯定不行的,要上驱动电路了 如果不是PWM,而只是开和关而已,你这个电路是没有问题的,而且,我感觉你第一个电路也不会有太大问题,MOS管的温度都不应该到150度 按照你的电流,这不过也就5W左右的功耗,除非你是半点散热的走线都没有,而且,这还是6个管子的总功耗,你分到每个管子,也就1W左右 |
wufa1986 发表于 2024-7-22 09:04 你这算错了吧 ，i² x r |
wufa1986 发表于 2024-7-22 09:04 我测试下来用6个管子有56度 |
| 如果你不是pwm控制没问题啊，按道理一个足够了，按发热功率0.0046*30=0.138W，用一个管子也应该只有50度不到 |
| 你这驱动问题很大，虽然MOS是电压控制，但是栅源电容比较大，你的R2电阻太大了，导致RC充电常数太大不能快速进入导通状态，所以发热。你用个500欧左右的因该就可以了。不知道驱动信号是哪里来，如果最大24V,R3也要适当减小一些，弄个3.3K左右,如果5V驱动信号，那就用510欧 |
zch5200 发表于 2024-7-19 17:13 不用R1，直接在R1位置改为12伏的稳压管呢？ |
coody_sz 发表于 2024-7-19 22:18 这里电阻分压为12伏 |
|
如果是静态驱动，不会那么发热的，有点温热正常。 如果是PWM驱动，则速度不够，上驱动IC吧。 最后，你的栅压24V，确定安全？一般不超过15V，典型值用12V为好。 |
wifen 发表于 2024-7-19 13:44 R1上并12V稳压管，电路开启的时候电流经稳压管有足够的电流驱动MOS管，关闭的时候R1的作用是提高G极电压而关断MOS管。PMOS和NMOS 一样 驱动也要电流的。稳压管的作用很大的 可以钳位G极电压不会电压波动时超过20V而损坏MOS管。 |
| 要做均流控制或者把每个PMOS的ID额定电流放宽到100A |
| 现在R1 R2更换为1K 电阻，发热问题解决，看来是驱动电流不够，mos没有完全开启 |
zch5200 发表于 2024-7-19 08:27 R1上为什么并12伏的稳压管 |
| 注意电路阻抗，三极管增加散热片 |
| R1与R2是分压12伏用来驱动mos，给vgs电压的。所以阻值相等情况下才会有-12v,我试试看改R1和R2 改1k看看。 |
| 可以测一下MOS在导通状态下的阻值，或者是过24A时MOS DS端的压降，应该是MOS没完全导通 |
|
因为是不是PWM 10欧可能小了, 可以改为300~510欧, 这个是防止自激振荡. 越大越稳定. 每个管子G,S间可以考虑加稳压二极管,18V. 这时R2可以改为1K. 还有管子的封装和散热. 有的封装在没有大散热器的情况下, 可能每W温升几十度. |
| MOS管可能没有完全导通； 把R2换成100欧姆试试； |
| 如果是PWM驱动，肯定有问题 |
| MOS管的驱动电流不够的话会发热，R1和R2改成1K，或者R1上并联个12V的稳压管 |
| R2改为5K，试试。 |
| 没有问题，只是电流过大导致的正常过热，注意安全，应该多并几路mos |
组图打开中，请稍候......
收藏
顶
踩
